IGBT 损耗计算一IGBT1.1 导通损耗其中::正弦的输出电流:导通情况下的IGBT的压降其中为门槛电压为斜率电阻:逆变桥输出的占空比(导通时为1关断时为0)一般情况下该变量的波形为m为调制比为输出信号与电流之间的相位差推导得:1.2 开关损耗其中DIODE2.1 导通损耗与IGBT的导通损耗类似只是针对DIODE而言上桥臂的IGBT导通意味着下桥臂的DIODE关断反之上桥臂的IGBT关