IGBT模块的损耗特性IGBT元件的损耗总和分为:通态损耗与开关损耗开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和另外内置续流二极管的损耗为导通损耗与关断(反向恢复)损耗(ERR)之和 EONEOFFERR与开关频率的乘积为平均损耗IGBT的损耗:续流二极管的反向恢复损耗:反向恢复损耗 ERR开关特性的测试:PDMB100B12开通损耗EON测量范例:PDMB100B12关断损耗EOF
IGBT 损耗计算一IGBT1.1 导通损耗其中::正弦的输出电流:导通情况下的IGBT的压降其中为门槛电压为斜率电阻:逆变桥输出的占空比(导通时为1关断时为0)一般情况下该变量的波形为m为调制比为输出信号与电流之间的相位差推导得:1.2 开关损耗其中DIODE2.1 导通损耗与IGBT的导通损耗类似只是针对DIODE而言上桥臂的IGBT导通意味着下桥臂的DIODE关断反之上桥臂的IGBT关
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IGBT模块的寿命和可靠性研究系统寿命与可靠性关系:可靠性:产品在一定条件下无故障完成规定功能的能力或可能性?IGBT模块的失效模式:功率周次 Power cycling:功率周次用于评估绑定线和Die焊层的机械寿命Power cycling can estimate the bonding wire and die solders lifetime?测试方法: 加载自加热周期≤ 3秒测试ΔTvj
MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管(MOSFET)的测试方法: 场效应管如果已知型号与管脚用万用电表测G(栅极)和S(源极)之间G与D(漏极)之间没有PN结电阻说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档其表棒分别接在场效应管的S极和D极上然后用手碰触管子和G极若表针不动说明管子不好若表针有较大幅度的摆动说明管子可用.另外:1结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别 (1)从包装上区分 由于绝缘栅型
三菱IGBT模块的命名CM-----IGBT模块PM-----智能功率模块结线方式:三菱 对应于 infineon D-----2单元(半桥模块) FFGBT-----6单元(三相全桥) FSGDB-----4单元(H桥) F4 H-----1单元
IGBT模块的等效热路模型引言半导体器件的热特性可以使用不同的等效热路模型来描述:?图 1: 连续网络热路模型 (Continued fraction circuit也称作Cauer模型 T模型或梯形网络)连续网络热路模型(Continued fraction circuit)反应了带有内部热阻的半导体器件的热容量真实的物理传导过程当已知器件的每层的材料特性时就能够建立这个模型然而要画出 每层材料
实验11 单模
IGBT模块选型参考1.IGBT模块的功率损耗????IGBT关断截止时I(t)≈o损耗的功率可忽略为了便于分析将损耗分为导通损耗和开关损耗另外开关损耗也可分为两类:具有理想二极管时IGBT的开关损耗和考虑二极管反向恢复时间时IGBT的开关损耗??? IGBT导通时如果电流为方波脉冲那么导通能量就等于电流电压降和导通时间三者之积IGBT在任意电流和温度时的最高电压降根据数据表提供的数据可按以下两步
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级IGBT模块项目可行性报告《十二五规划》第1页第一章 项目总论第一节 IGBT模块项目背景一IGBT模块项目基本信息二承办单位概况三本可行性研究报告编制依据四IGBT模块项目提出的理由与过程第二节 IGBT模块项目概况一建设规模与目标二主要建设条件三IG
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