第20 卷第 8 期
第20 卷第 4 期
第 14 卷 第 1 期
第!卷!第#期
晶体管的频率特性 高频等效电路 高频功率增益和最高振荡频率 晶体管的大电流特性 晶体管的最大耗散功率PCm和热阻RT 功率晶体管的二次击穿和安全工作区 高频大功率晶体管的图形结构 主要的高频参数 共基极交流短路电流放大系数的定性分析共基极交流短路电流放大系数的定量分析(略)共基极交流短路电流放大系数α和截止频率 频率越高分流电流iCDe越大到达集电结的电子电流
无源器件(passive device) :工作时不需要外部能量源(Source Energy)的器件电阻电容电感二极管有源器件(Active Device) : 工作时需要外部能量源的器件该器件至少有一个输出并且是输入信号的一个函数 如:双极晶体管金属-氧化物-半导体场效应晶体管结型场效应晶体管… 原理:在器件的两个端点施加电压控制第三端的电流发射区基区杂质分布非均匀发射结近似为突变结集电
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级雪崩光电二极管APD倍增特性的测试 一实验目的加深对雪崩光电二极管工作原理的理解 学会雪崩光电二极管的反向电压的测试方法学会雪崩光电二极管的暗电流的测试方法学会雪崩光电二极管的倍增特性的测试方法 掌握雪崩光电二极管的使用方法 三实验步骤反向电压测试1关闭单色仪入射狭缝S1和出射狭缝S2 2把装有APD的模块插入单色仪的出射狭缝
2–1 双极型晶体管的工作原理 图2–2晶体管内载流子的运动和各极电流 式中: 显然 <1一般约为 一电流放大系数 1共发射极直流电流放大系数 和交流电流放大系数β 和β分别由式(2–2)(2–10)定义其数值可以从输出特性曲线上求出 2 共基极直流电流放大系数
曲线二次扫描输出特性曲线实验二:基本共射放大电路的仿真实验分析静态工作点 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORSNAME Q_Q1 MODEL Q2N2222 IB IC VBE VBC -00 VCE 00 BETADC 01
CUCE ≈ VCCE RC三极管动态特性Ⅲ当UGS大于NMOS管的启动电压UT时MOS管工作在导通区此时漏源电流iDS =UDD (RDrDS)其中rDS为MOS管处于导通时的漏源电阻输出电压UDS = UDD?rDS(RDrDS)如果rDS<<RD则UDS≈0VMOS管处于接通状态其等效电路为如下当输入电压ui由低变高MOS管由截止状态转换为导通状态时杂散电容CL上的电荷通过rDS进行放电其放
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