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问题:1 场效应晶体管的特点
对晶体的电光效应的原理及应用的探究摘要:本文对晶体的电光效应实验的原理步骤仪器进行了简要的介绍并对实验数据进行处理以及误差估算通过分析实验室条件下误差产生的原因并进行精确计算对比探究了极值法测半波电压和调制法测半波电压并做出分析深入理解实验在讨论中谈到了实验的收获并从中吸取的经验教训并说明实验的收获与感想一实验目的:1.掌握晶体电光调制的原理和实验方法2.学习一种测量晶体半波电压和电光常数的
晶体的电光效应 预习报告工业工程 林笑2008010851实验目的掌握电光调制的基本方法学习测量电光晶体半波电压和电光常数的实验方法了解一种激光通信的方法观察电光晶体的锥光干涉现象实验原理电光晶体的一次光电效应电光晶体在未加电场时是单轴晶体,其折射率椭球方程为: x2+y2no2+z2ne2=1晶体加电后,折射率主轴的方向发生改变,生成感应轴方向x',y', z',相对原方向转过了45°,
第18 卷第 11 期
场效应晶体管场效应管的特点结型场效应管绝缘栅场效应管第四节一二三第四章第四节 场效应晶体管分类绝缘栅场效应管结型场效应管第四节场效应晶体管简称场效应管用FET来表示 (Field Effect Transistor)一绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管是一种金属—氧化物—半导体场效应管简称MOS管MOS管按工作方式分类增强型MOS管耗尽型MOS管N沟道P沟道N沟道P沟道第四节(一)N沟道增强型M
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第6届太阳硅材料及光伏发电研讨会
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