1图(a)为2DU型光电二极管的原理结构图I0为称为反向电流或暗电流 二 光电二极管的基本特性 工作区的选择扩散时间τp很长约为100ns它是限制PN结硅光电二极管时间响应的主要因素 为了提高PN结硅光电二极管的时间响应消除在PN结外光生载流子的扩散运动时间常采用在P区与N区之间生成I型层构成如图(a)所示的PIN结构光电二极管PIN结构的光电二极管与PN结型的光电二极管在外形上没有什么区别如图(
光电倍增器:由光电阴极和装在真空管内的倍增器组 成有很高的增益和很低的噪声但尺寸较大且需要的偏置电压较高所以不适合于光纤通信系统热电检测器:激励后检测器的冷却速度限制了响应速度主要用途是检测高速激光脉冲并不十分适合光纤通信系统光电二极管:尺寸较小材料合适灵敏度高响应速度快所以在光纤通信系统得到广泛应用常用的光电二极管有两种类型:pin光电二极管和雪崩光电二极管(APD)()
PN 结型光电二极管(也称PD)硅光电二极管的两种典型结构其中(a)是采用N型单晶硅和扩散工艺称为pn结构它的型号是2CU型而(b)是采用P型单晶和磷扩散工艺称np结构它的型号为2DU型 光敏二极管的反向偏置接线及光照特性示意图光敏二极管外形 由图可见在低反压下电流随光电压变化非常敏感这是由于反向偏压增加使耗尽层加宽结电场增强它对于结区光的吸收率及光生裁流子的收集效率影响很大当反向偏压进一步
光电二极管 t _blank 光电二极管英文通常称为 Photo-Diode概述 光电二极管和普通二极管一样也是由一个PN结组成的 t _blank 半导体器件也具有单方向导电特性但是在电路中不是用它作整流元件而是通过它把光信号转换成电信号那么它是怎样把光信号转换成电信号的呢大家知道普通二极管在反向电压作用在处于截止状态只能流过微弱的反向 t _blank 电流光电二极管
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1-第1章 电力电子器件1.1 电力电子器件概述1.2 不可控器件——二极管1电子技术的基础 ——— 电子器件:晶体管和集成电路电力电子电路的基础 ——— 电力电子器件本章主要内容:概述电力电子器件的概念特点和分类等问题介绍常用电力电子器件的
PIN光电二极管工作原理在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体就可以增大耗尽区的宽度达到减小扩散运动的影响提高响应速度的目的由于这一掺入层的掺杂浓度低近乎本征(Intrinsic)半导体故称I层因此这种结构成为PIN光电二极管I层较厚几乎占据了整个耗尽区绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体P层和N层很薄吸收入射光
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级4.7 光电二极管外形光变化-电流变化光电转换器光敏特性 (a) (b) 光电二极管的符号与光电特性的测量电路(a)符号 (b)光电特性的测量电路硅光电二极管光电二极管的伏安特性有光光电接收二极管反偏状态光电流(恒流)光电流与照度线性关系无光暗电流国产硅光电二极管按
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级发光二极管(LED——Light emitting diode)发光二极管发光二极管是由Ⅲ-Ⅴ族化合物如GaAs(砷化镓)GaP(磷化镓)GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的其核心是PN结发光二极管——结型电致发光半导体器件原子核电子高能级低能级孤立原子的能级围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值只能取特定的离散值(离散轨道)这
发光二极管电路发光二极管通常称为LED可以不夸张的说在几乎任何一个设备中都可以看到它的存在大家在看这篇文章的时候就可以看到电脑外部的一些电源或硬盘的指示灯在闪光对这些就是发光二极管可以将发光二极管当成一个微小的电灯泡来看但它没有灯丝仅仅靠半导体里面的电子移动而使它发光一般发光二极管的工作电流是十几毫安至几十毫安正向压降为有一些低电流的发光二极管的工作电流可以降至2MA而亮度与正常发光二极相同
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