单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式.pp第三讲 半导体二极管一二极管的组成二二极管的伏安特性及电流方程三二极管的等效电路四二极管的主要参数五稳压二极管六其它类型的二极管 一二极管的组成将PN结封装引出两个电极就构成了二极管点接触型:结面积小结电容小故结允许的电流小最高工作频率高面接触型:结面积大结电容大故结允许的电流大最高工作频率低平面型
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三讲 半导体二极管一二极管的组成二二极管的伏安特性及电流方程三二极管的等效电路四二极管的主要参数五稳压二极管 一二极管的组成将PN结封装引出两个电极就构成二极管点接触型:结面积小结电容小故结允许的电流小最高工作频率高面接触型:结面积大结电容大故结允许的电流大最高工作频率低平面型:结面积可小可大小的工作频率高大的结允许的电流大
第三讲半导体二极管第三讲半导体二极管一、二极管的组成二、二极管的伏安特性及电流方程三、二极管的等效电路四、二极管的主要参数五、稳压二极管 一、二极管的组成将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。点接触型:结面积小,结电容小故结允许的电流小最高工作频率高面接触型:结面积大,结电容大故结允许的电流大最高工作频率低平面型:结面积可小、可大小的工作频率高大的结允许的电流大 二、二极管的伏安特性及电流方
PN结加反向电压——N正极P负极: PN结反向截止(高阻状态) 漂移形成反向电流IR很小IR=IS≈0图 二极管组成和电路符号4锗Ge5UF:-()mV1oCIs:1倍10oC8不至于损坏的最大电流 其它类型二极管练习题(3) 电路如图(a)所示其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示二极管导通电压UD试画出输出电压uO的波形并标出幅值
PN结加反向电压——N正极P负极: PN结反向截止(高阻状态) 漂移形成反向电流IR很小IR=IS≈0图 二极管组成和电路符号4锗Ge5UF:-()mV1oCIs:1倍10oC8不至于损坏的最大电流 其它类型二极管练习题(3) 电路如图(a)所示其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示二极管导通电压UD试画出输出电压uO的波形并标出幅值
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三讲 半导体二极管第三讲 半导体二极管一二极管的组成二二极管的伏安特性及电流方程三二极管的等效电路四二极管的主要参数五稳压二极管 一二极管的组成将PN结封装引出两个电极就构成了二极管点接触型:结面积小结电容小故结允许的电流小最高工作频率高面接触型:结面积大结电容大故结允许的电流大最高工作频率低平面型:结面积可小可大小的工
第二节 半导体二极管PN结及其单向导电性二极管的伏安特性二极管的主要参数稳压管总目录下页1 PN结中载流子的运动空间电荷区内电场UD又称耗尽层,即PN结。最终扩散(diffusion)运动与漂移(drift)运动达到动态平衡,PN结中总电流为零。内电场又称阻挡层,阻止扩散运动,却有利于漂移运动。硅约为(06~08)V锗约为(02~03)V一、PN结及其单向导电性下页上页首页NP正向电流外电场削弱了
第一章 半导体及二极管11 半导体的基本知识12 半导体二极管13 半导体三极管第一章 半导体及二极管、三极管半导体材料的特性:1、热敏特性2、光敏特性3、掺杂特性本征半导体材料:典型 : 硅锗 两种载流子:电子和空穴 (浓度一样 )杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。1 N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素,例如磷,砷等,称为N型半导体。 多数载流子自由
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级模拟电子技术基础信电学院电气工程教研室初永丽入门性质的技术基础课——电子教案 ?很高兴能够给大家上课 ---- 我们共同学习切磋《模拟电子技术基础》这门课程? ---- 希望通过这门课和大家成为朋友 ---- 把大家引入电
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体二极管第 1 章1.1 半导体的基础知识1.2 半导体二极管的特性和主要参数1.3 二极管电路的分析方法1.4 特殊二极管1.5 半导体二极管特性的测试与应用第 1 章 小 结半导体二极管第 1 章1.1 半导体的基础知识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.1.3 PN 结(Semiconductor Dio
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