第 卷第期
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制备超水的工艺大致分成以下几种:1采用离子交换方式其流程如下:原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→阳树脂过滤床→阴树脂过滤床→阴阳树脂混床→微孔过滤器→用水点2采用两级反渗透方式其流程如下:原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→第一级反渗透 →PH调节→中间水箱→反渗透(反渗透膜表面带正电荷)→纯化水箱→纯水泵→微孔过滤器→用水点3采用ED
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半导体工艺简介掺杂工艺-离子注入微电子学院张贺秋参考书:《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》,电子工业出版社,赵树武等译,2004-10, 第7、8、9和11章为什么要用离子注入进行掺杂?Why(1)热扩散的限制1横向扩散和位错2位错晶体损伤3实现浅结困难4掺杂浓度控制精度5表面污染 (2)离子注入优点1无侧向扩散2精确控制掺杂的数量及位置3离子注入浓度最大值不在表面4掩膜(光刻胶、金属膜和二
Dec2003
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体工艺简介物理与光电工程学院张贺秋参考书:《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》电子工业出版社赵树武等译2004-10室内环境:要求很严恒温恒湿气流名称集成度(数字MOS集成电路)小规模集成电路(SSI)<100中规模集成电路(MSI)102103大规模
第 25 卷第 5 期
第 25 卷第2 期(总第114
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