IGBT模块工作原理以及检测方法点击次数:1830 发布时间:2009-5-9 14:01:161 IGBT模块简介??? IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件其输入极为MOSFET输出极为PNP晶体管它融和了这两种器件的优点既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快
IGBT模块工作原理以及检测方法IGBT模块简介??? IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件其输入极为MOSFET输出极为PNP晶体管它融和了这两种器件的优点既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点其频率特性介于MOSF
IGBT原理及特点(1)2009-10-09 20:43IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点GTR饱和压降低载流密度大但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小开关速度快但导通压降大
IGBT模块工作原理及其注意事项1 IGBT模块简介??? IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写IGBT是由MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)和双极型晶体管复合而成的一种器件其输入极为MOSFET输出极为PNP晶体管它融和了这两种器件的优点既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点又具有双极型器件饱和压降低而容
IGBT工作原理IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道给 PNP 晶体管提供基极电流使 IGBT 导通反之加反向门极电压消除沟道流过反向基极电流使 IGBT 关断 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET 所以具有高输入阻抗特性?????? 当??MOSFET 的沟道形成后从??P 基极注入到??N 一层的空穴(少子)对 N 一层进行电导调制
液晶显示(LCD)器模块工作原理及检测方法 ?1.液晶显示器的显示原理 ????LCD的驱动原理可分为静态和动态驱动两种:静态驱动原理简单只要在某笔段加上与背极(BP)相反的电压即可显示由于液晶材料在长期直流作用下寿命将缩短为几百小时所以供给背极和笔段的信号为32?Hz或50?Hz(显示频响为30100Hz)的方波如图1所示? ???采用门电路驱动时一般用异或门CD4070CD407
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目录 l 11 结构 l 22 工作特性 l 2_12_1 静态特性 l 2_22_2 动态特性 l 33 发展历史 l 44 输出特性与转移特性 l 55 模块简介 l 66 等效电路 l 6_16_1 IGBT模块的选择 l 6_26_2 使用中的注意事项 l 6_36_3 保管时的注意事项
IGBT模块工作原理及其注意事项点击次数:602 发布时间:2009-5-9 11:36:45要:对IGBT的特性及使用时的注意事项进行了探讨提出了选择和安装过程中应该注意的方面1 IGBT模块简介??? IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件其输入极为MOSFET输出极
故障分析:机器出现此类故障可能原因有:(1)超声探头不良(2)发射电路工作不正常采用排查分析法换用备用探头亦出现同样情况考虑发射脉冲产生电路工作是否正常检测接线头发现电压输出正常用示波器逐一检查发射激励脉冲波形发现没有脉冲输出进一步检测发现场效应晶体管已烧毁更换参数相同的场效应管通电后扫描完整灵敏度提高故障排除从大多数医院B超使用状况来看工作负荷较大工作环境较差是造成设备故障的重要原因所以要
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