2011-2012 第二学期光电成像技术 ——红外摄像技术及其应用院系 电子工程学院光电子技术系 班级 班内序号 考核成绩 题目:红外摄像技术及其应用摘要: 本文通过对红外成像技术的研究现状与红外成像技术的应用两方面来全
第四章 光电成像器件摄像管是能够输出视频信号的真空光电管氧化铅PIN靶 摄像器件的性能参数调制传递函数MTF: 电荷耦合器件dox===5V二电荷耦合假定开始有一些电荷存储在偏压为20V的第二个电极下面的势阱里其他电极上均加有大于阈值得较低电压(例如2V)设a图为零时刻经过一段时间后各电极的电压发生变化第二个电极仍保持10V第三个电极上的电压由2V变为10V因这两个电极靠的很近(几个微米)它们各自
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级黄海燕(Kevin)销售工程师(Sales Engineer)MP: 18221083873Tel: 86-21-370181088057 Fax: 86-21-57656381E-mail: k.huangboyuesh :.boyuesh上海 北京 广州 成都香港加拿大铂悦仪器(上海)有
可见光像 电荷耦合器件--改变UG调节势阱深度空穴 --栅极电压排斥一位CCD中含的电容个数即为CCD的相数每相电极连接的电容个数一般来说即为CCD的位数MOS上三个相邻电极每隔两个所有电极接在一起由3个相位差120°时钟脉冲驱动4 信号电荷包的输出CCD的结构与工作原理4. 光谱响应特性转移损失率ε:表示残留于原势阱中的电量Q与原电量Q0之比定义为转移损耗电荷从一个电极转移到另一个电极的固有
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第六章 光电成像器件光电成象器件是指能够输出图象信息的一类器件其功能大致可归为以下两类:1使不可见光图象(红外紫外)变为可见光图象2使光学图象变为电视信号真空成像器件固体成像器件光电成像器件像管和摄像管的区别: 第一节 像管的工作原理与结构一工作原理(三大功能):变换光谱:将红外紫外的辐射图像变成可见图像增强亮度:使图像亮度
第四章 光电成像器件概述:光电成像器件是指能够输出图象信息的一类器件,其功能大致可归为以下两类:1、使不可见光图象(红外、紫外)变为可见光图象2、使光学图象变为电视信号光学图像的实质:一特定光强度的空间分布。光电成像器件的发展近年来,利用光电成像器件构成图像传感器进行光学图像处理与图像测量已成为现代光学仪器、现代测控技术的重要发展方向。它广泛应用于遥感、遥测技术、图形图像测量技术和监控工程等,成为
透镜及其应用一选择 o 欢迎登陆全品高考网 题1.小王同学用光具座做凸透镜成像实验时蜡烛的像成在了光屏上侧为了使蜡烛的像能成在光屏中央以下操作可达到目的的是( )A.将凸透镜往上移 B.将光屏往下移C.将蜡烛往上移 D.将蜡烛往下移2.在用光学显微镜观察装片时由于突然停电导致视野偏暗班里同学采取的如下措施合理的是( )
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第8章 光电成像器件8.1 概述1.光电成像器件的发展 ①1934年成功研制出光电摄像管 ②1947年成功研制超正析像管 ③1954年研制出灵敏度较高的视像管 ④1965年诞生了灵敏度高分辨高惯性小的氧化铅摄像管 ⑤1976年研制出成本更低灵敏度更高的硒靶管和硅靶管 1970年美国贝尔实验室发表了电荷耦合器件原理2.光电
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级8.5 典型线阵CCD 线阵CCD的分类 ?根据驱动频率分 高速线阵CCD 中速线阵CCD 低速线阵CCD ?根据其灵敏度动态范围分 高灵敏度线阵CCD 超高灵敏度线阵CCD 本节将讨论典型的单沟道线阵CCD器件TCD12
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