毕业设计(论文)题目: 电化学腐蚀多晶硅表面织构的研究系 别 材料工程系专业名称 高分子材料与工程班级 078102112学生 江龙迎指导教师 王应民二O一一年五月 学士学位论文性声明本人声明所呈交的论文是本人在导师的指导下独立完成的研究成果除了文中特别加以标注引用的内容外
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级晶体硅太阳电池发射极腐蚀的研究中山大学太阳能系统研究所曾飞主要内容HFHNO3体系腐蚀的基本规律发射极的腐蚀研究利用重掺杂-腐蚀工艺制备太阳电池HFHNO3腐蚀体系在晶体硅太阳电池工艺上的应用酸制绒去背结和边缘结背面抛光选择性发射极电池…………1HFHNO3体系腐蚀的基本规律各种反应条件对腐蚀的影响(1)添加剂的影响:添加乙醇
万方数据
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第29卷 第10期
硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示实验安排:4人组时间:两小时地点:北方工业大学第三教学楼2403房间实验所用主要设备:金相显微镜一实验目的硅单晶中的各种缺陷对器件的性能有很大的影响它会造成扩散结面不平整使晶体管中出现管道引起p-n?结的反向漏电增大等各种缺陷的产生和数量的多少与晶体制备工艺和器件工艺有关晶体缺陷的实验观察方法有许多种如透射电子显微镜X光貌相技术红外显微镜及金相腐蚀显示等方法对表面缺陷也可
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