DC-DC
漏極D二MOSFET 的特點:4.導通電阻 Rds(on) Rds(on) 決定了輸出電電壓和自身的損耗一般選 Rds(th)小Vds高 的管子為好 Id 增加Rds(on)也略有增ds升高Rds(on)有所下降四MOSFET在SMPS中的應用范圍: 作為輸出開關及輸出降壓的應用如: 在Low-power SMPS中主輸出與Stand by 輸出可共用同一路輸出電 路
#
覆盖计算WLAN室内传播模型WLAN传播模型主要参考以下两种:Devasirvatham模型Devasirvatham模型又称线性路径衰减模型公式如下:Pl(df)[dB]为室内路径损耗(a=0.47)其中为自由空间损耗d:为传播路径f:为电波频率a:模型系数衰减因子模型2.4G频段的电磁波有近似的路径传播损耗公式为:PathLoss(dB) = 46 10 nLog D(m)其中D为传播路
IGBT 损耗计算一IGBT1.1 导通损耗其中::正弦的输出电流:导通情况下的IGBT的压降其中为门槛电压为斜率电阻:逆变桥输出的占空比(导通时为1关断时为0)一般情况下该变量的波形为m为调制比为输出信号与电流之间的相位差推导得:1.2 开关损耗其中DIODE2.1 导通损耗与IGBT的导通损耗类似只是针对DIODE而言上桥臂的IGBT导通意味着下桥臂的DIODE关断反之上桥臂的IGBT关
地砖:300300的是400400的是500500的是600600的是800800的是10001000的是10 墙砖:300300的为400400的为500500的砖5600600砖800800砖如果遇到实际砖的规格和上面砖的规格不一样可以选择周长与上面砖接近的砖的损耗率1消耗量净耗量(1-损耗率)这个公式不是用于确定材料消耗定额的公式一般是施工单位用于计算材料采购量的公式其中的损耗率损耗量
#
APM9435
#
开关电源的总损耗开关电源的总损耗根据效率定义电源的总损耗为△P=Pi-Po=Po(1η-1) ()总损耗包括功率器件变压器滤波电路缓冲电路辅助电源EMI滤波保险丝假负载等一切损耗有时变换器效率实际上仅只包含功率电路变压器整流滤波电路和缓冲电路损耗不包含除此以外的其他电路损耗甚至不包含功率开关驱动损耗开关电源适配器设计开始应当
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报