单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三章 门电路3.1 导论3.2 分立元件门电路3.3 TTL门电路3.4 其它类型TTL门电路3.5 CMOS逻辑门3.1 导论逻辑门电路的分类:分立元件 集
图 正逻辑与负逻辑图 二极管开关电路图 双极型三极管的特性曲线 (a)输入特性曲线 (b)输出特性曲线图1 MOS管的结构和符号图6 P沟道增强型MOS管 最简单的与或非门电路返回 TTL门电路(三)图.4 TTL反相器的输入端等效电路图.9 TTL反相器低电平输出特性图.14 TTL反相器的动态电压波形图
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2.1 概 述2.2 半导体器件的开关特性2.3 分立元件门电路2.4 TTL集成门电路2.5 CMOS集成门电路第二章 门电路5V3V0V0.4VVHVL低电平高电平3.4V0.2V2.1 概述一高电平和低电平二逻辑赋值方法VH-------1VL-------0正逻辑体系VH-------0VL------
二三极管的开关特性RL Vi—VON RL — V1 电子Vi 1)截止区Vi使VBE > (Si)(Ge)0<Ib<IBS (IBS——临界饱和值)IC由βIb 决定即 IC= βIbVO=VCE=VCC-iCRC VO RCVCC图.10S DB衬底-VGSIDD1A=1 B=1 Z=1 TTL门电路cR1T5I2 VO=VCC-Vbe3-Vbe4= T1eA C1OFF
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单击此处编辑母版标题样式Digital Electronics Technology第3章 门电路数字电子技术 Digital Electronics Technology1. 门电路 是用以实现逻辑关系的电子电路与基本逻辑关系相对应门电路主要有:与门或门与非门或非门异或门等3.1 概述3. 正负逻辑 正逻辑:用高电平代表1低点平代表0在数字电路中一般采用正逻辑系统 负逻辑:用高电平代
??? ?? ??? ????? ??? ???? ??????? ???? ???? ????? ????? ?? ??? ????? ??? ???? ??????? ???? ???? ????? ??实验一 门电路逻辑功能及测试 一. 实验目的熟悉门电路逻辑功能熟悉数字电路实验箱和数字存储示波器的使用方法学会用数字存储示波器测量逻辑门的传输延迟时间二.实验器材双踪示波器74LS04(1
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级TPTNVDDVIVO? 电路结构:PMOS作负载管开启电压为负-V t h NMOS作输入管开启电压为正 V t h 两个栅极G并联作输入端G两个漏极D串连作输出端DD 两个衬底都和源极S接在一起PMOS管源极接电源VDDNMOS管源极接地? 正常工作条件: 电源电压大于两管开启电压绝对值之
返回 TTL反相器2202023P输入低电压时截止低输入截止区UOFFUOFF② 高电平噪声容限(高电平负向干扰范围) UNH = UIH - UON UIH为电路输入高电平的典型值(3V) 若UON=则有 UNH = = (V)172. 输入负载特性RI 较小时关门输出高电平220202323 .4 TTL反相器的其它参数 表2-5 74系列TTL门电路主要参数
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级§2.6 CMOS门电路一CMOS反相器的工作原理G1S1G2S2P沟道增强型N沟道增强型vI=VIL=0时 T1通 T2止vO=VOH≈VDDvI=VIH=VDD时
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