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毕业设计(论文)题目: 电化学腐蚀多晶硅表面织构的研究系 别 材料工程系专业名称 高分子材料与工程班级 078102112学生 江龙迎指导教师 王应民二O一一年五月 学士学位论文性声明本人声明所呈交的论文是本人在导师的指导下独立完成的研究成果除了文中特别加以标注引用的内容外
多晶硅硅的化学制备【摘要】 硅是一种重要的半导体材料目前广泛应用于微电子太阳能光信息等领域作为这些领域的原材料硅的纯度必须大于5N[1]目前制备多晶硅的方法主要有化学法和物理法(又称冶金法)两大类化学方法主要有:三氯氢硅氢还原法(改良西门子法)硅烷法和流化床法其他方法很少有工业化生产的实例本文主要对三种方法进行介绍并比较分析各方法的优缺点【关键词】 多晶硅 化学方法 介绍 比较分析
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
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