大桔灯文库logo

下载提示:1. 本站不保证资源下载的准确性、安全性和完整性,同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,大桔灯负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。

相关文档

  • IGBT.doc

    IGBT AC TEST SET-UP 一. IGBT AC TEST SET-UP的过程(58515)N-NPIGBT产品的内部结构 EN- Epi LayerN Buffer LayerP Sub LayerC图1 1). 概述 IGBT是一种绝缘栅双极性晶体管是INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR的缩写 IGBT的特性:1). 比较高的反向击穿电压

  • IGBT-方法.doc

    #

  • IGBT量.doc

    IGBT测量.txtIGBT测量 l 判断极性首先将万用表拨在 R×1K 挡用万用表测量时若某一极与其它两极阻值为无穷大调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大则判断此极为栅极( G )其余两极再用万用表测量若测得阻值为无穷大调换表笔后测量阻值较小在测量阻值较小的一次中则判断红表笔接的为集电极( C ) :黑表笔接的为发射极( E )2 判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档用黑表笔接 IGBT

  • IGBT量.doc

    IGBT的测量l 判断极性首先将万用表拨在 R×1K 挡用万用表测量时若某一极与其它两极阻值为无穷大调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大则判断此极为栅极( G )其余两极再用万用表测量若测得阻值为无穷大调换表笔后测量阻值较小在测量阻值较小的一次中则判断红表笔接的为集电极( C ) :黑表笔接的为发射极( E ) 2 判断好坏将万用表拨在 R×10K档用黑表笔接 IGBT 的集电极( C ) 红

  • IGBT模块的方法.doc

    MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管(MOSFET)的测试方法: 场效应管如果已知型号与管脚用万用电表测G(栅极)和S(源极)之间G与D(漏极)之间没有PN结电阻说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档其表棒分别接在场效应管的S极和D极上然后用手碰触管子和G极若表针不动说明管子不好若表针有较大幅度的摆动说明管子可用.另外:1结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别 (1)从包装上区分 由于绝缘栅型

  • IGBT-1200AVI特性曲线.doc

    IGBT-1200A型Vce-Ic特性曲线测试仪应 用:本IGBT-1200A特性曲线测试仪可用于多种需要测试器件Vce-Ic的特性场合可以测量大功率二极管大功率场效应管大功率IGBT大功率双极型晶体管和低阻值电阻等常用器件的VI特性测试还可以用作大电流脉冲发生器作为图2.应用参 数:最大脉冲电流:1200A脉冲宽度:50300uS工作频率:工作模式:单步或扫描模式特 点:电脑显

  • IGBT管的检.doc

    l 判断极性首先将万用表拨在 R×1K 挡用万用表测量时若某一极与其它两极阻值为无穷大调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大则判断此极为栅极( G )其余两极再用万用表测量若测得阻值为无穷大调换表笔后测量阻值较小在测量阻值较小的一次中则判断红表笔接的为集电极( C ) :黑表笔接的为发射极( E )  2 判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档用黑表笔接 IGBT 的集电极( C ) 红表笔接

  • IGBT台对应阻值表.doc

    IGBT及匹配电阻型号阻值备注FF400R33KF2C150R2FF300R17KE351 :

  • IGBT短路方法详解.docx

    IGBT短路测试方法详解在开发电力电子装置的过程中我们需要做很多的测试但是短路测试常常容易被忽略或者虽然对装置实施了短路测试但是实际上并不彻底和充分下面2种情况比较常见:1. 没有实施短路测试a. 因为觉得这个实验风险太大容易炸管子损失太大b. 觉得短路时电流极大很恐怖2. 实施了短路测试但测试标准比较简单对短路行为的细节没有进行观察本文将详细介绍正确的完整的短路测试方法及判断标准短路的定义(1)

  • IGBT通态饱和压降方法.docx

    IGBT通态饱和压降测试方法??????? HYPERLINK IGBT饱和压降VCEsat:在门极电压驱动下IGBT工作于饱和区IGBT集电极(C)与发射极(E)之间的电压差不同的门极电压对应不同的饱和压降饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标在门极驱动电压存在的情况下发生IGBT过流VCE会急剧上升一般当VCE大于饱和压降10us左右IGBT就会损坏?????? 在IGBT工作

违规举报

违法有害信息,请在下方选择原因提交举报


客服

顶部