31半导体的基本知识 32
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级5 场效应管放大电路5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管5.3 结型场效应管(JFET)5.4 砷化镓金属-半导体场效应管5.5 各种放大器件电路性能比较5.2 MOSFET放大电路P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道(耗尽
UD8.4甲乙类互补对称功率放大电路★ 交越失真现象: 实际上由于管子发射极存在死区以及最初阶段非线性较严重因此完全由输入信号推动时集电极电流iC在穿越横轴时将会出现失真——这种现象称为交越失真iCt0交越失真iBvBE0 交越失真现象将使输出信号产生非线性失真输入信号较小时影响较大解决方法:在静态时让管子处于一种微导通的状态(工作点不在横轴上而是稍微上升一点——微偏置)可
注:交流信号(正弦波):用有效值表示具有直流成分的:用平均值表示利用二极管的单向导电性几种滤波电路RL ≠0:C有了放电回路 ?d=RLCC. 直流电压 VL 随负载电流增加而减少解:(1)IL=Vz ?RL=10V ?1K=10mA
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第一章 半导体器件1.1 半导体的特性1.2 半导体二极管1.3 双极型三极管(BJT)1.4 场效应三极管1.1 半导体的特性 1. 导体:电阻率 ? < 10-4 ? · cm 的物质如铜银铝等金属材料 2. 绝缘体:电阻率 ? > 109 ?· cm 物质如橡胶塑料等 3. 半导体:导电性能介于导体和半导体之间的物
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级 1.4 二进制代码1.4.1 二-十进制码1.4.2 格雷码1.4.3 ASCII码 1.4 二进制代码 二进制代码的位数(n)与需要编码的事件(或信息)的个 数(N)之间应满足以下关系:2n-1≤N≤2n1. 二—十进制码进制码(数值编码)(BCD码----- Binary Code Deci
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abcd锁存器与触发器R=0S=011R=0S=10当SR 同时回到0时由于两个与非门的延迟时间无法确定使得触发器最终稳定状态也不能确定c.国标逻辑符号1Q11置1 例2 消除机械开关振动引起的抖动现象 S简单SR锁存器E=0:S =0 R=1S =1 R=00D(b) E=1时LLH高阻
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