单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级South China Normal University单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级South China Normal Universityp-n结1. p-n结的形成和杂质分布 合金法:通过加热使两种物质融合 突变结:在p-n结交界面杂质浓度发生突然变化 x<x
模拟电子技术基础上页下页返回NN以N型半导体为基片通过半导体扩散工艺PN结1. PN结的形成使半导体的一边形成N型区另一边形成P型区N--P----------------------------------a. 在浓度差的作用下电子从 N区向P区扩散N--P----------------------------------b. 在浓度差的作用下空穴从 P区向N区扩散N--P-----
CJ=CT CD ISUDΔQPQP3 变容二极管 一般当信号角频率ω较低时rd<< l(ωCJ) CD和CT的容抗很大相当于开路二极管的小信号模型中只有rd id变容二极管 -50二极管型光电耦合器
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实验报告19系 04级 王承乐日期 05118 台号 1号台 评分实验题目:PN结正向压降温度特性的研究实验目的:1了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。2在恒流供电条件下,测绘PN结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。3学习用PN结测温的方法。实验原理:理想PN结的正向电流和压降存在如下近似关系(1)其中为电子电荷;为波尔兹曼常数;为绝对温度;为反向
华侨大学信息科学与工程学院 电子工程系厦门专用集成电路系统 重点实验室Copyright by Huang Weiwei华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室Spring 2011Spring 20112011-CH2-华侨大学信息学院电子工程系厦门专用集成电路系统重点实验室Spring 2011微电子器件与电路第二章 PN结主讲:黄炜炜Email:
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第二节 PN结一PN结制造工艺: 在一块P 型(或N型)半导体中掺入施主杂质(或受主杂质)将其中一部分转换为N型(或P型)这样形成的PN结保持了两种半导体之间晶格结构的连续性此制造工艺称为平面扩散法 实际的PN结均为不对称结它的P型和N型半导体具有不同的掺杂浓度其中P区掺杂浓度大于N
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[2008-10-7 22:14 /Graph1 (2454746)]Linear Regression for Data1_B:Y = A + B * XParameterValueError------------------------------------------------------------A2088627006085B-050997562128E-4-----------
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级一.P-N结合(1) (2) 但若将数片P或N型半导体加以适当的组合则会产生各种不同的物理特性而使半导体零件的功能更多彩多姿今天我们要先看看把一块P型半导体与N型半导体结合起来的情况PN结工作原理P型N型(3) 当一块P型半导体与N型半导体结合起来时(P型掺杂硼是受主N型掺杂磷是施主)如下图所示由于P型半导体中有
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