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功率场效应晶体管(MOSFET)原理功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管是一种单极型的电压控制器件不但有自关断能力而且有驱动功率小开关速度高无二次击穿安全工作区宽等特点由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz特别适于高频化电力电子装置如应用于DCDC变换开关电源便携式电子设备航空航天以及汽车等电子电器设备中但因为其电流热容量小耐压低一般只适用于小功率电力电子装置一电
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场效应晶体管场效应管的特点结型场效应管绝缘栅场效应管第四节一二三第四章第四节 场效应晶体管分类绝缘栅场效应管结型场效应管第四节场效应晶体管简称场效应管用FET来表示 (Field Effect Transistor)一绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管是一种金属—氧化物—半导体场效应管简称MOS管MOS管按工作方式分类增强型MOS管耗尽型MOS管N沟道P沟道N沟道P沟道第四节(一)N沟道增强型M
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Title of this SliceFirst Subtitel2nd level3rd Level4th Level5th Level1第五章 MOS 场效应晶体管5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声5.6 MOSFET尺寸按
2 1. 对栅极驱动电路的要求 (1) 为PM的栅极提供所需要的栅压以保证P-MOSFET可靠导通 (2) 减小驱动电路的输入电阻以提高栅极充放电速度从而提高器件的开关速度 (3) 实现主电路与控制电路间的电隔离 (4) 因为PM的工作频率和输入阻抗都较高很容易被干扰所以栅极驱动电路还应具有较强的抗干扰能力 8 P-MOSFET在电力变流技术
场效应晶体管混频器原理及其电路混频器一般由输入信号回路本机振荡器非线性器件和滤波网络等4部分组成如图1所示这里的非线性器件本身仅实现频率变换本振信号由本机振荡器产生若非线性器件既产生本振信号又实现频率变换则图1变为变频器所谓混频是将两个不同的信号(如一个有用信号和一个本机振荡信号)加到非线性器件上取其差频或和频 图1 混频器的组成部分 混频器可根据所用非线性器件的不同分为二极管混频器晶体管混
半导体场效应晶体管场效应管放大器大连理工大学微电子学院张贺秋参考:武汉大学物理科学与技术学院PPT场效应管放大电路三种基本接法共源场效应管放大电路自给偏压式共源场效应管放大电路自给偏压-直流工作点UGSIDUDS作图法共源场效应管放大电路自给偏压-直流工作点UGS,IDUDS共源场效应管放大电路分压式或?GADS场效应管放大电路的动态分析 低频小信号等效模型 (以N沟道增强型MOS管
已知场效应管的输出特性曲线如图P122所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。2、N沟道JFET的转移特性如图3.1所示。试确定其饱和漏电流IDSS和夹断电压VP。3、N沟道JFET的输出特性如图3.2所示。漏源电压的VDS=15V,试确定其饱和漏电流IDSS和夹断电压VP。并利用转移特性公式计算VGS=-2V时的跨导gm。图3.1图3.24 在图3.3所示的放大电路中,已知VDD=20V,RD=
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