相关文档

• ch103.ppt

  103 二极管1031二极管的结构1032二极管的伏安特性1033二极管的主要参数1034二极管电路的分析1031 二极管的结构构成：PN结 + 引线 + 管壳 =二极管 (Diode)符号：分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型平面型1032 二极管的伏安特性正向特性Uth死区电压iD = 0Uth = 05 V 01 V(硅管)(锗管)U ? UthiD 急剧上升0? U ?

• ch130.ppt

  131单相半波整流电路132 单相桥式整流电路133 常用的整流组合元件134 电容滤波电路135 电感滤波电路直流稳压电源136 稳压管稳压电路第 13 章137三端集成稳压器第13章小结

• ch104.ppt

  104 稳压二极管1041稳压二极管的伏安特性1042稳压二极管的主要参数1041 稳压二极管的伏安特性稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。符号工作条件：反向击穿例 102 用两只UZ=6V、正向压降为06V的稳压二极管和限流电阻可以组成几种输出电压不同的稳压电路？解：可以组成3种输出电压不同的稳压电路。1042 稳压二极管的主要参数1 稳定电压 UZ流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。2

• ch143.ppt

  143 晶体管的开关作用晶体管的输出特性曲线上有三个区：放大区、饱和区、截止区，如图示：1 晶体管工作于放大区条件：发射结正偏集电结反偏晶体管电压与电流的关系：2 晶体管工作于饱和区各电压、电流的关系为：3 晶体管工作于截止区条件：两个结反偏截止区：IC = ICEO ? 0由上分析可知：晶体管饱和时，集电极与发射极之间如同开关的闭合，其间电阻很小；当晶体管截止时，集电极与发射极之间如同开关的断开

• ch102.ppt

  102 PN结1021PN结的形成1022PN结的单向导电性1021 PN结的形成一、载流子的浓度差引起多子的扩散二、 复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层) 空间电荷区特点:无载流子、阻止扩散进行、利于少子的漂移。三、 扩散和漂移达到动态平衡扩散电流 等于漂移电流，总电流I = 0。内电场扩散运动：漂移运动：由浓度差引起的载流子运动。载流子在电场力作用下引起的运动。一、加正向电压(正向偏置)导通内

• ch101.ppt

  101 半导体的基本知识1011半导体的导电特征1012N型半导体和P型半导体1011 半导体的导电特征半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子 自由运动的带电粒子。共价键 相邻原子共有价电子所形成的束缚。硅(锗)的原子结构简化模型硅(锗)的共价键结构自由电子(束缚电子)空穴可在共价键内移动本征激发：复合： 自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成

• ch100.ppt

  101 半导体的基本知识102 PN结103二极管104稳压二极管电子电路中常用的元件第 10章第10章小结105发光二极管106晶体管

• ch10_3.ppt

  第10章事务处理、并发控制与故障恢复技术103 数据库恢复技术1103数据库恢复技术1031概述1032数据库故障分类小型故障中型故障大型故障1033数据库故障恢复三大技术数据转储日志事务的撤消与重做1034恢复策略1035数据库镜像21031概述数据库恢复在数据库遭受破坏后及时进行恢复的功能方法利用数据冗余原理，将数据库中的数据在不同的存储介质上进行冗余存储，当数据库本身受到破坏时，可以利用这些

• ch113.ppt

  113 放大电路的 动态分析1131放大电路的动态工作情况1132放大电路中各电压、电流的定义1133微变等效电路法1134静态工作点的设置与稳定1135发射极电阻及信号源内阻的影响1131 放大电路的动态工作情况在静态的基础上加入输入信号时的工作状态称为动态。IBQICQUCEQUBEQ1132 放大电路中各电压、电流的定义A AA大写表示电量与时间无关(直流、平均值、有效值)；A小写表示电量随

• ch106.ppt

  106 晶体管1061晶体管的基本结构1062电流分配和电流放大作用1063特性曲线1064主要参数1061 晶体管的基本结构晶体管（三极管）是最重要的一种半导体器件。一、结构铟球铟球三层半导体材料构成NPN型、PNP型发射极 E基极 B集电极 C发射结集电结 基区 发射区 集电区emitterbasecollectorNPN 型各区主要作用及结构特点：发射区：作用：发射载流子 特点：掺杂浓度高基