相关文档

• 8第八章-金属和半导体的接触.ppt

  ??半导体一边的势垒高度Wm<Ws?-Wm(a) p型阻挡层(Wm<Ws) (b) p型反阻挡层(Wm>Ws)阻挡层表面态分施主表面态和受主表面态在半导体表面禁带中形成一定的分布存在一个距价带顶为 q?0 的能级q?0q?0Wm?电子从半导体流向金属?这些电子由受主表面态提供?平衡时费米能级达同一水平表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图§８.2 金属半导体接触（阻挡层） 整流理论(

• 第八章_金属半导体接触和异质结.doc

  第六章 金属半导体接触和异质结习题1. 画出由p型半导体和金属构成的肖特基势垒在施加正想和反向电压的能带图分别标出扩散流漂移流肖特基热电子电流的方向和相对大小2. 设金属与半导体是理想的肖特基接触即肖特基模型适用在以下两种情形下：(a)金属和半导体直接接触(b)相距较远通过一很细的导线连接试分析并用图示意指出MS接触形成的接触电势差在热平衡时的分布情形3. 试分析说明金属-n型半导体肖特基势垒在正

• 第六章-金属和半导体的接触-朱俊-09.pptx

  单击此处编辑母版标题样式??单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第 六 章 金 属 和 半 导 体 的 接 触Metal-Semiconductor ContactBy Prof. Dr. Jun ZhuUESTC1金属与半导体形成的肖持基接触和欧姆接触阻挡层与反阻挡层的形成2肖特基接触的电流—电压特性——扩散理论和热电子发射理论即肖特基势垒的定量特性(详细阐述)3欧姆接触的特性主

• 半导体物理第七章金半接触.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第七章 金属和半导体接触7.1 金属半导体接触及其能级图7.2 金属半导体接触整流理论7.3 少数载流子注入和欧姆接触7.1 金半接触及其能带图0k时金属：E<EF时能级填满 E>EF时能级全空一定温度T下金属中EF附近电子热激发跃迁到E>EF的能级金属内部的电子好像在势阱中运动

• 第七章_金属半导体接面.ppt

  金屬半導體接面相接時費米能階要相等而且真空能階要連續以金屬與n型半導體為例：電子由半導體流向金屬半導體區留下正的施體離子形成空乏區()順向為正逆向為負以1c2對偏壓作圖為一斜直線由斜率可求得摻雜濃度：假設界面態階界面態階密度為定值為Dit(statescm2-eV)：考慮兩個特殊狀況：情況一：Dit??可得情況二： Dit??0可得故n型矽為110p型矽為32 n型砷化鎵為8p型砷化鎵為74熱離子

• 金属半导体接触及其能级图.ppt

  单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式金属半导体接触及其能级图E0Wm(EF)mEv(EF)SE0EnχWsEc金属中的电子势阱半导体的功函数和电子亲合力金属半导体接触及其能级图金属和半导体的功函数Ev(EF)SEnχWsEcWm(EF)mE0金属和n型半导体接触能带图(Wm>Ws) (a) 接触前(a)金属半导体接触及其能级图接触电

• 第四章金属半导体结.ppt

  ??? ?? ??? ????? ??? ???? ??????? ???? ???? ????? ??第四章 金属—半导体结 引言金属—半导体形成的冶金学接触叫做金属—半导体结(M-S结)或金属－半导体接 触把须状的金属触针压在半导体晶体上或者在高真空下向半导体表面上蒸镀大面积的金属薄膜都可以实现金属—半导体结前者称为点接触后者则相对地叫做面接触金属—半导体接触出现两

• 第七章_半导体的接触现象.doc

  81 第七章 半导体的接触现象半导体的接触现象主要有半导体与金属之间的接触（肖特基结和欧姆接触）、半导体与半导体之间的接触（同质结和异质结）及半导体与介质材料之间的接触。§7-1 外电场中的半导体无外加电场时，均匀掺杂的半导体中的空间电荷处处等于零。当施加外电场时，在半导体中引起载流子的重新分布，从而产生密度为的空间电荷和强度为的电场。载流子的重新分布只发生在半导体的表面层附近，空间电荷将对外电

• 第七章_半导体的接触现象.pptx

  第七章半导体的接触现象半导体器件基本结构半导体与金属接触肖特基接触欧姆接触半导体与半导体接触同质结接触异质结接触第七章半导体接触现象半导体与介质材料体接触第八章 半导体表面第七章内容71 外电场中的半导体72 金属-半导体接触73 金属-半导体接触的整流现象74 半导体pn结（同质结）75 pn结整流现象76 理想pn结理论（窄pn结理论）77 pn结击穿78 异质结79 欧姆接触71 外电场中半

• 关于金属半导体接触电场方向的讨论.doc

  关于金属半导体接触电场方向的讨论摘 要：半导体物理是许多专业的基础专业课关系到诸多专业的知识提高与创新基础但由于授课时长的限制许多专业内容没有深入造成了学生理解上的障碍文章就书本中没有讲到的问题尤其是关于金属半导体接触电场方向进行了讨论关键词：金属半导体电场方向接触半导体物理是许多专业的基础专业课关系到诸多专业的知识提高与创新基础但由于授课时长的限制许多专业内容没有深入造成了学生理解上的障