考试试卷( 1 )卷一填空题(本题共8小题每空1分共20分)1电子技术包括______________和电力电子技术两大分支通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者 2为减少自身损耗提高效率电力电子器件一般都工作在_________状态当器件的工作频率较高时_________损耗会成为主要的损耗 3在PWM控制电路中载波频率与调制信号频率之比称为_____________当它为常数时的
19 考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____
电力电子技术试题1请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 GTR 可关断晶闸管 GTO 功率场效应晶体管 MOSFET 绝缘栅双极型晶体管IGBT IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管2晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 触发脉冲前沿要陡幅值要高 和
《电力电子技术》试卷及答案 一填空(每空1分36分) 1请在正确的空格内标出下面元件的简称: 电力晶体管?GTR??可关断晶闸管GTO?功率场效应晶体管?MOSFET?绝缘栅双极型晶体管?IGBT? IGBT是??MOSFET 和??GTR??的复合管 2晶闸管对触发脉冲的要求是???要有足够的驱动功率? ????触发脉冲前沿陡幅值要高????和??触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 3多个晶闸
电力电子技术试题(第一章)填空题1普通晶闸管内部有 PN结外部有三个电极分别是 极 极和 极1两个阳极A阴极K门极G2晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时门极上加上 电压晶闸管就导通2正向触发3晶闸管的工作状态有正向 状态正向 状态和反向 状态阻断导通阻断4某半导体器件的型号为KP50
电力电子技术试题(第一章)填空题1普通晶闸管内部有 PN结外部有三个电极分别是 极 极和 极1两个阳极A阴极K门极G2晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时门极上加上 电压晶闸管就导通2正向触发3晶闸管的工作状态有正向 状态正向 状态和反向 状态阻断导通阻断4某半导体器件的型号为KP50
《电力电子技术》试题填空1双向晶闸管的图形符号是??????????? 三个电极分别是???????? ??????? 和???? ?????双向晶闸管的的触发方式有?????????????? ?????????????????????????????????? ????????????????.2单相全波可控整流电路中晶闸管承受的最大反向电压为??? ?????????三相半波可控整流电路
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电力电子技术试题1请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 GTR 可关断晶闸管 GTO 功率场效应晶体管 MOSFET 绝缘栅双极型晶体管IGBT IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管2晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 触发脉冲前沿要陡幅值要高
电力电子技术答案2-1与信息电子电路中的二极管相比电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构使得硅片中通过电流的有效面积增大显著提高了二极管的通流能力2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区也称漂移区低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体由于掺杂浓度低低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿2-2.
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