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赣南师院物理与电子信息学院集成电路课程设计报告书基于NI Multisim计数器设计 : 李永旺 班级: 09电子科学与技术 : 090803015 指导老师: 陈建萍 时间: 2012年5月28日 目 录 1.引 言………………………………
超大规模集成电路课程论文 题目:集成电路设计生产及工艺流程 院 系: 物理与电子工程学院 专 业: 电子信息科学与技术 年 级: 三年级 学 号: 2009111127 姓 名: 汪星
2010级工程实践(二)课程大纲(数字集成电路设计与系统应用专业)一课程名称中文名称:工程实践(二)二课程目标本课程是一门实践课程以实践为主辅以必要的讲座和课外辅导通过本课程培养学生具有熟练的集成电路设计开发能力特别是熟练的编写代码能力和撰写文档能力同时遵循芯片设计开发过程管理规范以团队形式开发完成具有一定规模的应用性项目培养学生规范化芯片设计开发和管理的能力本课程要求学生组成3-4人的开发小组(
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级数字集成电路设计流程一集成电路设计介绍 什么是集成电路(相对分立器件组成的电路而言) 把组成电路的元件器件以及相互间的连线放在单个芯片上整个电路就在这个芯片上把这个芯片放到管壳中进行封装电路与外部的连接靠引脚完成什么是集成电路设计 根据电路功能和性能的要求在正确选择系统配置电路形式器件结构工艺方案和设计规则的情况下尽量减小芯
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级数字集成电路的设计流程设计输入:以电路图或HDL语言的形式形成电路文件输入的文件经过编译后可以形成对电路逻辑模型的标准描述逻辑仿真(功能仿真):对如上形成的逻辑描述加入输入测试信号检查输出信号是否满足设计要求在此没有考虑任何时间关系只是检测逻辑是否有错数字集成电路的设计流程系统分割(设计综合):采用特定的设计方法分解实现电路模
模拟集成电路的设计流程32023418相关工艺参数可以在ms018_v1p7_文件中查到:N18:Tox= (可由此算出Cox) vth0=(无衬偏效应) u0=34mP18:Tox==-=的选取可以参照razavi书上的lambda与L成反比其中L时 lambdaNlmabdaP=模型中各工艺参数定义可参考文件LibraryCell以及View的关系mos管的主要参数 以下是一些常用的快捷键
集成电路分析与设计课程实验1(2010-03-18)熟悉Cadence设计软件中的Schematic Editing进行原理图编辑并使用Spectre工具进行仿真验证要求及说明:1. NMOS和PMOS晶体管的1级模型参数参考教材(拉扎维P32)中表相应的Spectre模型为hquicmodel_2. 假设VDD=3VNMOS和PMOS器件的衬底端子(B除非另有说明)分别接地和VDD(或最正的电压
高级模拟集成电路设计Design of Advance Analog CMOS Integrated Circuit 华侨大学·电子与信息工程学院电子工程系杨骁 凌朝东xiaoyanghqu@课程报告内容包括:ADC中各种性能指标(静态性能指标和动态性能指)的定义及测试方法;在ADC动态性能指标( 如SNR做FFT频谱)分析时,频谱泄漏的原因是什么,解决办法。简单描述各种ADC的类型及其特点;选
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