半导体放电管检测要求及测试方法1 本要求遵循的依据 YDT940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》 YDT694—1999《总配线架》 —2003ISO 2859—1:1999《计数抽样检验程序》2 测试前准备及测试环境条件 对测试设备进行校验检查是否正常正常后才能使用 在标准大气条件下进行试验2. 温度:1535℃.2 相对湿度:4575.3 大气压力:86106Kpa所有的电测量以及测
三半导体三极管及放大电路基本要求熟练掌握:放大电路的组成原则共射共集和共基组态放大电路工作原理静态工作点用小信号模型分析法分析增益输入电阻和输出电阻多级放大电路的工作原理增益的计算 正确理解:图解分析法放大电路的频率响应 一般了解:频率失真 难点重点1.半导体三极管内部载流子的传输过程(1)发射区向基区注入电子 由于发射结外加正向电压发射结的内电场被削弱有利于该结两边半导体中多子的扩散流过发射极
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级3 半导体三极管及放大电路3.2 共射极放大电路3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共基极电路和共射极电路3.7 放大电路的频率响应3.1 半导体BJT3.1 半导体三极管(BJT)几种 BJT 的外形BNP基极发射极集电极N
共射极放大电路的工作原理 结构特点:因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区2. 电流分配关系ICEO= (1 ? ) ICBO共射极接法交流电流放大倍数?vO = -?iC? RL = VRL?vO = -?iC? RL = - V电压放大倍数1. 输入特性曲线放大区:iC平行于vCE轴的区域曲线基本平行等距此时发射结正偏集电结反偏截止<βiB(2) 共发射极交流电流放大系数?
发布200×-××-××发布200×-××-××实施中华人民共和国国家质量技术监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会 半导体单晶晶向测定方法Test methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal方法A X射线衍射定向法方法B 光图定向法(讨论稿)GBT 1555—200×代替GBT
第2章 半导体三极管及其基本放大电路教学基本要求掌握: 双极型三极管的外特性共射共集放大电路的工作原理静态工作点的估算及用简化小信号模型电路分析电压放大倍数输入电阻输出电阻 熟悉:双极型三极管的工作原理主要参数及使用方法共射共集放大电路的主要特点和主要用途共集放大电路的的静态工作点及电压放大倍数输入电阻输出电阻了解: 温度对静态工作点的影响图解分析法共基放大电路的主要特点和主要用途光电三极管
半导体测试基础——术语?摘要:本章节包括一下内容:??????? 测试目的??????? 测试术语??????? 测试工程学基本原则??????? 基本测试系统组成??????? PMU(精密测量单元)及引脚测试卡??????? 样片及测试程序? 一基础术语?????? 描述半导体测试的专业术语很多这里只例举部分基础的:1.? DUT需要被实施测试的半导体器件通常叫做DUT(Device Unde
半导体测试基础基础术语 描述半导体测试的专业术语很多这里只例举部分基础的:1.? DUT 需要被实施测试的半导体器件通常叫做DUT(Device Under Test我们常简称被测器件)或者叫UUT(Unit Under Test) 首先我们来看看关于器件引脚的常识数字电路期间的引脚分为信号电源和地三部分 信号脚包括输入输出三态和双向四类 输入:在外部信号和器件内部逻辑之间起缓
RTDC系列电池巡检仪一产品概况 RTDC系列电池巡检仪是我推出的用于蓄电池电压测量的直流电源柜配套产品可以同爱默生网络能源有限(原深圳华为)以及同其他厂家制造的监控器联机通讯二产品技术要求一)产品主要特点:??在线跟踪监测电池组电压充放电电流电池表面温度??采用大屏幕液晶显示器显示直观数据量大??平板嵌入式安装结构不影响电池布置??带隔离的RS-485通讯接口可实现数据的远传?
图5-9 晶体管的结构和图形符号晶体管各个电极的电流分配图5-13 输入特性曲线 图5-14 输出特性曲线 2.电路分析(1)直流通路 (4)各元件的作用 静态:无交流信号输入时电路中的电压电流都不变的状态 (2)放大电路的微变等效电路 图a所示是放大电路的交流通路把交流通路中的晶体管用其微变等效电路代替即得到放大电路的微变等效电路如图b所示2)输入电阻图6-12 共发射极
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