MOS开关及其等效电路 CMOS 反相器S10 V0 VvO(L)3. CMOS反相器的工作速度1 1导通0N1AN输入的与非门的电路1 0截止0TL设TP:VTP=2V TN:VTN=2V?I的变化范围为-5V到5V c=0=-5V c =1=5VO C?I=?3V3V参数系列? (1MHz
CMOS逻辑门电路1. MOS管的开关特性uo=01. MOS管的开关特性NMOS管D导通10 0 CMOS门电路 BiCMOS门电路MN截止 M1截止 T2截止MN②C1 即C端为高电平(VDD) 端为低电平(0V)时TN和TP都具备了导通条件输入和输出之间相当于开关接通一样uouiCMOS TSL门
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2.7 NMOS逻辑门电路3NMOS或非门1NMOS反相器2NMOS与非门12.7 NMOS逻辑门电路1NMOS反相器---饱和型负载管反相器ViVoT2T1VDD即:Vi为高电平时 Vo为低电平 Vi为低电平时 Vo为高电平当输入电压为高电平时T1导通当输入电压为低电平时T1截止T2还是导通所以是反相器T
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级3.4.1 CMOS反相器 3.4.2 其它功能的CMOS门电路 3.4 CMOS 集成逻辑门电路3.5.1 TTL电路和CMOS电路的接口3.5 集成逻辑门电路的应用返回结束放映3.4.3 CMOS集成门的使用注意事项 3.5.2 集成逻辑门的应用4520221复习为什么要用OC门OC门的工作条件OC门有何应用三态门
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集电极开路门和三态门iCICS≈ic ≈ ?iB条件从导通到截止关闭时间toff(= tstf)输出级T3DT4和Rc4构成推拉式的输出级用于提高开关速度和带负载能力c130 CC输入级T1和电阻Rb1组成用于提高电路的开关速度T2饱和导通输入b)输出级对提高开关速度的作用e输入全为高电平 ()截止若AB中有一个为高电平:1.集电极开路门电路10三态与非门真值表 A1×ZENMNM1和T2导通
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2.1 半导体器件的开关特性2.2 分立元件门电路2.3 TTL集成门电路2.4 CMOS集成门电路退出第2章 逻辑门电路 获得高低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通截止(即开关)两种工作状态 逻辑0和1: 电子电路中用高低电平来表示2.1 半导体器件的开关特性1二极管的开关特性 逻辑门电路:用
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第10章 逻辑门电路授课教师:季顺宁本章学习重点熟悉开关器件(二极管三极管BJT)的开关特性 【BJT:Bipolar Junction Transistor】第10章掌握由分立元件构成的基本逻辑门电路① 二极管与门电路② 二极管或门电路③ 非门——BJT反相器本章学习重点TTL逻辑门电路第10章一般
CT2000系列低功耗系列RCTRCRB 构成反相器电路组成BD2二 晶体管-晶体管逻辑门电路(TTL)T1相当于三个三极管的基极b和集电极c连在一起CeA- i b2 是T2管的反向驱动电流使T2管快速截止缩短了开关时间使T1管工作在深饱和状态 b 接高电平的发射极相当于寄生三极管的集电极其电流的大小为: i IH=βj i bR2T1集电结T2T4发射结正偏导通电流总是由高电位流向
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