下一页总目录章目录返回上一页第7章 二极管及整流滤波电路7.3 半导体二极管7.4 整流电路7.5 滤波电路7.2 PN结7.1 半导体的导电特性7.6 稳压管及稳压电路第7章 半导体二极管和三极管本章要求:一理解PN结的单向导电性三极管的电流分配和 电流放大作用二了解二极管稳压管和三极管的基本构造工 作原理和特性曲线理解主要参数的意义三会分析
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级导电能力介于导体和绝缘体之间硅锗硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体纯净半导体导电能力不强加入杂质后导电能力增强利用该特性制成半导体二极管三极管晶闸管等半 导 体半导体N型半导体P型半导体通过一定的工艺使半导体一部分是P型一部分N型则中间交接面形成PN结PN结PNPN结PN结的单向导电性实验PNRIPNRI?0PN结正向
电子技术基础制作:刘立平课题:二极管整流滤波电路本课主要内容直流电源的组成及各组成部分作用二极管整流电路工作原理 二极管单相半波整流电路 二极管单相桥式整流电路 二极管三相桥式整流电路滤波电路 二极管单相桥式整流电容滤波电路二极管单相桥式整流电感滤波电路课题:二极管整流滤波电路直流稳压电源的组成及各组成部分作用一、二极管整流电路二极管整流电路类型单相整流三相整流单相半波整流单相桥式整流单相全波整流
6 二极管及整流、滤波、稳压电路 61 半导体二极管1 PN 结的形成在同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了PN结。2 PN结的单向导电性 PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是: P区加正、N区加负电压。 PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是: P区加负、N区加正电压。 3 半导体二极管伏安特性死区电压 硅管06V,锗管02V。导通压降
6 二极管及整流、滤波、稳压电路 61 半导体二极管1 PN 结的形成在同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了PN结。2 PN结的单向导电性 PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是: P区加正、N区加负电压。 PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是: P区加负、N区加正电压。 3 半导体二极管伏安特性死区电压 硅管06V,锗管02V。导通压降
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级10 整流滤波电路10.1 单相整流电路10.2 滤波电路 电子电路工作时都需要直流电源提供能量电池因使用费用高一般只用于低功耗便携式的仪器设备中本章讨论如何把交流电源变换为直流稳压电源一般直流电源由如下部分组成: 整流电路是将工频交流电转为具有直流电成分的脉动直流电 滤波电路
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级下篇电子技术二极管及整流电路三极管及放大电路晶闸管及其应用集成运算放大器半导体二极管及整流电路导电能力介于导体和绝缘体之间硅锗硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体纯净半导体导电能力不强加入杂质后导电能力增强利用该特性制成半导体二极管三极管晶闸管等半 导 体半导体N型半导体P型半导体通过一定的工艺使半导体一部分是P型一部分
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实 验 报 告 评分: 少年班 系07 级 PB07000632 郭飞扬 日期 2008-4-21 实验题目:交流电及整流滤波电路实验目的:掌握交流电路的基本特性及交流电各参数的测量方法。了解整流滤波电路的基本工作原理。实验原理:正弦交流电的表达式如下,其曲线如图1所示。 (1)由此可见,正弦交流电的特性表现在正弦交流电的大小、变化快慢及初始值方面。而它们分别由幅值(或有效值)、 频率(或
实 验 报 告 评分:信息学院 系 10 级 PB10210159 王云龙 日期2011-3-29 试验名称:交流电及整流滤波电路试验目的: 1、本实验的目的是掌握交流电路的基本特性及交流电各参数的测量方法。2、了解整流滤波电路的基本工作原理。实验原理交流电路正弦交流电的表达式如下,其曲线如图621-1所示。 由此可见,正弦交流电的特性表现在正弦交流电的大小、变化快慢及初始值方面。而它们
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