单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级北京航空航天大学202教研室问题:FET管放大电路的特点4202022142北京航空航天大学202教研室2.4.1 差放的偏置输入和输出信号及连接方式2.4 差动放大电路的特性与分析1. 组成对称结构两种输入方式 两种输出方式四种组合方式2. 直流工作点2.4.1.1 差放的偏置方式与静态工作点计算T1T2RCRCVCCv
51 集成放大电路的特点52 集成运放的主要技术指标53 集成运放的基本组成部分56 集成运放使用中的几个具体问题第5章 集成运算放大电路第一节集成放大电路的特点集成电路的发展集成电路的分类集成放大电路的主要特点一、集成电路的发展集成电路简称IC(integrated circuit),是20世纪60年代初期发展起来的一种半导体器件,它是在半导体制造工艺基础上,将各种元器件和连线等集成在一片硅片上
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第三章?? 放大电路的频率特性在电子电路中所遇到的信号往往不是单一频率的正弦信号,而是各种不同频率分量组成的复合信号。由于晶体管本身具有电容效应,以及放大电路中存在电抗元件(如耦合电容C1、C2和旁路电容CE),因此,对于不同频率分量,电抗元件的电抗和相位移均不同。所以,放大电路的电压放大倍数Au和相角φ成为频率的函数。我们把这种函数关系称为放大电路的频率响应或频率特性。 31?? 频率特性的一般
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单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第2章 三极管及其放大电路2.8放大电路的频率响应2.8.1 频率响应概述 在放大电路中由于耦合电容的存在对信号构成了高通电路即对于频率足够高的信号电容相当于短路信号几乎毫无损失地通过而当信号频率低到一定程度时电容的容抗不可忽略信号将在其上产生压降从而导致放大倍数的数值减小且产生相移与耦合电容相反由于半导体三极管极间电容的存在对信号构
半导体三极管及放大电路基础 1 半导体三极管(晶体管) NPN 型三极管结构及符号PNP 型三极管结构及符号晶体管中的载流子运动和电流分配晶体管的电流方向、发射结和集电结的极性 晶体管的输入特性曲线晶体管的输出特性曲线晶体管的主要参数(1)电流放大系数(2)集-基极反向电流 ICBO(3)集-射极反向电流 ICEO集-基极反向电流 ICBO集-射极反向电流 ICEO (穿透电流)(4)集电极最大允
半导体三极管及放大电路基础 1 半导体三极管(晶体管) NPN 型三极管结构及符号PNP 型三极管结构及符号晶体管中的载流子运动和电流分配晶体管的电流方向、发射结和集电结的极性 晶体管的输入特性曲线晶体管的输出特性曲线晶体管的主要参数(1)电流放大系数(2)集-基极反向电流 ICBO(3)集-射极反向电流 ICEO集-基极反向电流 ICBO集-射极反向电流 ICEO (穿透电流)(4)集电极最大允
电路特点: 1采用分压式射极偏置电路 2利用Rb1Rb2的分压作用固定基极位VB 3如果I1>>IB当T↑–IC(IE)↑–VE↑–VBE↓–IB↓–IC↓牵制了IC的增加获得了稳定的静态工作点Q 电压放大倍数UCEQA=UoUiUi
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三章 放大电路的频率特性第三章 放大电路的频率特性3.1 频率特性的一般概念 3.2 三极管的频率参数 3.3 共e极放大电路的频率特性 3.4 多级放大电路的频率特性 电子课件三3.1 频率特性的一般概念 3.1.1 频率特性的概念 对低频段 由于耦合电容的容抗变大 高频时1ωc
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