上页下页返回模拟电子技术基础3.2 绝缘栅型场效应管 N沟道IGFET耗尽型增强型P沟道N沟道P沟道绝缘栅型场效应管的类别 3.2.1 增强型MOS管 gsdNN SiO2保护层 AlbP结构示意图PNsgdN以P型半导体作衬底形成两个PN结SiO2保护层引出两个电极引出两个电极引出栅极Al从衬底引出电极两边扩散两个高浓度的N区SiO2保护层PNsgdNAl故又称为MOS管管子组成a.
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级《模拟电子技术》陶文海安徽师范大学物理与电子信息学院绪 论返回一电子信号的分类X—1 正弦波信号tv0 1. 模拟信号和模拟电路Ⅰ. 模拟信号 模拟信号的特征是无论从时间上或从大小上来看信号都是连续变化的如正弦波 Ⅱ. 模拟电路 用来传递加工和处理模拟信号的电路称作
在多级放大电路的末级要带负载要求AMP输出一定的Power 000uiui在ui负半周 T1截止 T2导通 T2的集电极电流ic2流过负载RLT2uo 2PO1VccVCCEVCCD2RF2旁路μF
频率特性的概念1. 中频区各种电容作用可以忽略的频率范围通常称为中频区在中频区内电压放大倍数Au基本上不随频率而变化保持一常数此时的放大倍数称为中频区放大倍数Aum由于电容不考虑所以也无附加相移第二章所进行的动态分析都是在放大电路的中频区 在对放大电路的具体分析时通常分成三个频段考虑: (1)中频段:全部电容均不考虑耦合电容视为短路级间电容视为开路 (2)低频段:耦合电容的容抗不
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级电子技术基础 模拟部分电气信息与自动化学院前 言1. 本课程的性质 是一门专业知识平台重要核心课程是学生在电子技术入门阶段的专业基础课2. 特点?非纯理论性课程 ?实践性很强?以工程实践的观点来处理电子电路中的一些问题(电路理论的应用)3. 研究内容 以器件为基础以信号为主线研究各种模拟电子电路中
变压:将交流电源电压变成符合整流要求的电压值整流:利用二极管的单向导电性将交流电压变成脉 动的直流电压滤波:滤去脉动直流电压中的高次谐波使之成为平滑的直流电压稳压:在电网电压波动或负载变化时保持输出稳定的直流电压D截止 uo = 0 3.主要参数4.整流元件及变压器的选择 (2) 整流变压器的变比和容量: 变比分析: 设uC (0-) = 0(1) u2 >0 (正半周)a) 当0
3. 非线性失真图解分析三极管本质上是非线性器件分析困难小信号模型就是在允许范围内对其建立的线性模型从而简化放大电路的分析和设计用小信号交流分量表示? 一般用测试仪测出2. 小信号模型分析法的适用范围RsIBQ(1) Rb=300k? Rc=4k?时放大电路的Q点4k4k(1)画交流通路RLH参数小信号等效电路T RbRi4k220?AvsvsICQT4k小结:
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第2章 半导体三极管及应用2.1 半导体三极管2.2 基本共射放大电路的组成及工作原理2.3 放大电路的分析方法2.4 共集电极电路和共基极电路2.5 场效应管及放大电路2.6 晶闸管及应用2.1 半导体三极管(a)NPN型结构(b)NPN型符号(d) PNP型符号(c) PNP型结构图2-1 NPN和PNP管的结构示意图
信号产生电路方波 1.振荡条件 产生正弦波的条件与负反馈放大电路产生自激的条件十分类似只不过负反馈放大电路中是由于信号频率达到了通频带的两端产生了足够的附加相移从而使负反馈变成了正反馈在振荡电路中加的就是正反馈振荡建立后只是一种频率的信号无所谓附加相移起振条件放大器OUi2 满足振荡条件Uo稳定振荡RC桥式振荡
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级《模拟电路》精品课程课件第5章半导体三极管和场效应管及其应用§5.91 结型场效应管§5.92 绝缘栅场效应管§5.93 场效应管的主要参数特点及使用注意事项第5章半导体三极管和场效应管及其应用§5.91 结型场效应管学习目标:1.熟悉场效应管的结构分类 2.了解场效应管的的工作原 理
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