单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 金属有机物化学气相沉积(MOCVD-Metal Organic CVD)概念:利用金属有机物的热分解进行化学气相沉积制备薄膜的CVD方法特点:近十几年发展 发展起来的一种新的表面气相沉积技术它一般使用金属有机化合物和氢化物作为原料气体进行热解化学气相沉积制备范围:在较低温度下沉积各种无机材料如金属氧化物氢化物碳
#
《沉积岩石学》第十一章其它内源沉积岩及附生岩第一节铝、铁、锰质岩第二节磷质岩第三节蒸发岩第四节附生岩1、铝质岩铝质岩是一种在化学成分上富含Al2O3,并主要(通常都大于50%)由铝矿物(铝的氢氧化物)组成的沉积岩类。其化学成分的特点应为Al2O3>SiO2,如果在铝质岩中Al2O3>40%,Al2O3∶SiO2≥2∶1时,即成为铝土矿。(1)化学成分:化学成分复杂易变,其主要成分是Al2O3、
Chapter 9其它薄膜材料超晶格和量子阱薄膜材料超晶格和量子阱薄膜材料(Superlattice and Quantum Well)用MBE和MOCVD技术对材料进行原子级尺度的微细加工而制备出来的超多层结构材料。其组分和掺杂随意可变。每层厚度在01-1nm1969年IBM的江畸和朱肇祥提出了超晶格概念。1972年,IBM张立刚等 人首先用分子束外延技术生长出了100个周期的AlGaA
#
《沉积岩石学》第二章 沉积物的搬运和沉积作用第一节概述第二节有关流体力学的一些概念机械搬运和沉积作用第三节第二章、沉积物的搬运和沉积作用第四节化学和生物的搬运与沉积作用沉积分异作用第五节第一节、概述第二章、沉积物的搬运和沉积作用风化作用的产物及其它来源的沉积物质,少量残留原地,大部分进入搬运状态向沉积盆地中转移。沉积下来的沉积物:长期固定下来不再移动;随着地壳上升、侵蚀基准面下降,流体的流速加快
#
Thin Film TechniquesPVD依不同加熱源蒸鍍法可分為真空蒸鍍法電子束蒸鍍法(常用)雷射束蒸鍍法真空蒸鍍法Vacuum chamber電流通過坩堝加熱蒸鍍源至接近熔點蒸鍍源侷限於如鋁之低熔點金屬缺點:坩堝因被加熱故可能造成 沈積材料污染[3]Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD)通常用來沈積磊晶矽及複合半導體材料
Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level镁合金表面电化学沉积氢氧化镁薄膜及其耐蚀性能吴凤霞李维学梁军1. 兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室 兰州 730050 2. 兰州理工大学理学院 兰州 7
#
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报