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此题答案错误
表示随机变量X取值不大于实数x同时随机变量已知二维随机变量① F(x y)关于x和y都是单调不减的(x1 y1) X x1 x2 … xi … p11 p21 ... Pi1 ... p12 p22 ... Pj2 ...
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《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好反向电阻愈大愈好1-7 ① IZ =14mA ② IZ =24mA ③ IZ =17mA1-13 (a)放大区 (b)截止区 (c)放大区 (d)饱和区 (e)截止区 (f)临界饱和 (g)放大区 (h)放大区1-15 (a)NPN锗管 (b)P
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模拟电路 Analog Circuit 模拟电子技术基础▲教材《电子技术基础——模拟部分(第五版)》 康华光主编高教出版社▲参考书《模拟电子技术基础(第四版)》童诗白主编高教出版社 《模拟电子技术简明教程》 杨素行编高教出版社《电子线路(线性部分)》谢嘉奎主编高教出版社电子技术类课程的基础课程电类专业工程类课程的入门课程先修课程:电路分析后续课程:数字电路高频
验收主要内容20HSFR分布在80H-FFH其中83个位可位寻址7FH片内RAM特殊功能寄存器(80H—FFH)SFR分布在80H-FFH其中83个位可位寻址
供电技术电子课件X?中国矿业大学信电学院电气安全与智能电器研究所单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级?中国矿业大学信电学院电气安全与智能电器研究所单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级?中国矿业大学信电学院电气安全与智能电器研究所单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击
内容概述3iD晶体管饱和后集-射极间电压VCES很小硅管不足锗管仅为因VCES<<EC 故Ics=(EC-VCES)RC≈ECRC对应基极电流iBS=ICS?≈EC?RC(临界饱和电流)因此为使晶体管可靠饱和 iB>iBS=EC?RC 一般 iB ≥NiBS=NEC ?RC (饱和电流N=23)截止区:VBE<0 (或VBE<VTE )IB=-ICBO若略去此电流等效为三个电极断开二动态开关特
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