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集成电路期末复习材料一填空题1.集成运放内部电路包括4个基本组成环节分别为输入级中间级输出级和各级的偏置电路2.封装形式主要有两类:金属圆帽封装和双列直插封装3.理想集成运放的两个重要特性:虚短和虚断4.基本放大电路包括:反相器同相器和差动放大器5.同相放大器的特点:输入电阻很高输出电阻很低常在电路中用于实现级间的阻抗变换对内阻抗很高的传感器实现电压信号的放大根据它的功能又称为阻抗变换器或缓
自我检测题1.CMOS门电路采用推拉式输出的主要优点是 提高速度改善负载特性 2.CMOS与非门多余输入端的处理方法是 接高电平接电源与其它信号引脚并在一起3.CMOS或非门多余输入端的处理方法是接低电平接地与其它信号引脚并接在一起4.CMOS门电路的灌电流负载发生在输出 低 电平情况下负载电流越大则门电路输出电压越 高 5.CMOS门电路的静态功耗 很低 随着输入信号频率的增加功耗将会
习题3三写出下面Verilog程序的执行结果下面程序执行完后写出ABCDclk的结果module adder_1(ABCDclk)input clkinput[7:0] A B output[7:0] C D reg[7:0] C D initialbeginA=8`b00001111B=8`b10000000clk=1endalways(clk)beginC=ABIf (AB>255) D[3
思考题将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序切断滚磨定晶向切片倒角研磨腐蚀抛光清洗检验切片可决定晶片的哪四个参数晶向厚度斜度翘度和平行度硅单晶片研磨后为何要清洗硅片清洗的重要性:硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键形成表面附近的自由力场极易吸附各种杂质如颗粒有机杂质无机杂质金属离子等造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象导致低击穿管道击穿光刻产生针孔金属离子和原子易造成pn结软击穿漏电
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说明:[难度等级(E容易 M中等 C难)需要的设计工具与之相关的章节]CMOS反相器4. [E None ]对于图中的输出负载为3pF的反相器: a. 计算tplhtphl和tp b. 上升延时和下降延时是否相等为什么 c. 计算静态和动态功耗假设门的时钟频率尽可能的快 图 电阻负载反相器7. 考虑图中的电路器件M1是一个标准的NMOS器件器
集成电路(IC)产品由芯片引线和引线框架粘接材料封装材料等几大部分构成其中引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑载体并作为导电介质连接IC外部电路传送电信号以及与封装材料一起向外散发芯片工作时产生的热量成为IC中极为关键的零部件目前芯片集成度一直以摩尔定律的规则高速推进即集成度每3年增长4倍特征尺寸每3年缩小2倍功能增强速度更快功耗降低封装也在随其不断发展封装密度引线密度(单位封装面积上的引线数)
集成电路(1)引脚识别:如表1.3.2所示表1.3.2名称封装标记及引脚识别管脚数间距特点及应用金属圆形CanTO-998 12可靠性高散热屏蔽性良好价格高主要用于高档产品功率封装ZIP-TAB3458101216散热性能好用于大功率器件双列直插DIPSDIPDIPtab814161820222428402.541.778标准窄间距塑封造价低应用最广泛陶瓷封耐高温造价较高用于高档产品单列直
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