相关文档

• 半部春秋秦半导体付半个月胖半推半就掠白痴保半真半假.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级遨游汉字王国五(6)班字谜王国半部春秋秦　 半导体 付　半个月 胖　 半推半就掠　白痴 保　半真半假值　宝岛姑娘始　闯王失马门　边打边谈订　不是男孩姓　部位相反陪　草木之中有一人茶　草上飞 早　长期住医院疚　乘人不备 乖　打断念头 心　添丁进口可　春风吹又生茁　春和秋都不热秦　土上有竹

• 半导体.ppt

  北京大学 微电子学研究所 半导体及其基本特性 北京大学固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106104(?cm)-1 半导体: 10410-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1什么是半导体从导电特性和机制来分：不同电阻特性不同输运机制1. 半导体的结构原子结

• 半导体.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第九章 半导体器件导体：自然界中很容易导电的物质称为导体金属一般都是导体绝缘体：有的物质几乎不导电称为绝缘体如橡皮陶瓷塑料和石英半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间称为半导体如锗硅砷化镓和一些硫化物氧化物等1 半导体的导电特性9-1 PN结与半导体二级管半导体的导电机理不同于其它物质所以它具有不同于其它物质的特点

• 半导体.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体制造工艺流程半导体相关知识本征材料：纯硅 9-10个9 250000Ω.cmN型硅： 掺入V族元素--磷P砷As锑SbP型硅： 掺入 III族元素—镓Ga硼BPN结：NP------半 导体元件制造过程可分为前段(Front End)制程 晶圆处理制程(Wafer Fa

• 半导体.ppt

  1半导体的特性复习2.杂质半导体4空穴—多子多数载流子通过PN结PN 结的单向导电性：正向导通反向截止DiD mA（2）正向导通区：O反向电流IR2）发光二极管 LED按材料分类三极管的结构和符号基区基区c（2）基区薄且掺杂浓度低TNPbPPNP型e－4VPPNP型Ge管cUc >Ub> UeIB (mA)三极管的特性曲线正向导通区输入回路b截止区T放大区bUbe>0UCES=发射结正向导通集电结

• 半导体.ppt

  产生了净扩散流 电子：N区→ P区空穴：P区→ N区热平衡时载流子漂移流与扩散流相互抵消的平衡被打破：势垒高度降低势垒区中电场减弱相应漂移运动减弱因而使得漂移运动小于扩散运动产生了净扩散流空间电荷区边界处少数载流子浓度注入正偏pn结耗尽区边界处少数载流子浓度的变化情况双极输运方程可以简化为：反偏例另一部分未被复合的空穴继沿x方向漂移到达-xp的空穴电流通过势垒区 若忽略势垒区中的载流子产生-复合则

• 半导体.ppt

  一 三类物体导体：具有自由电子的导电物体外层电子很少绝缘体：不易传导电荷的物体一般外层电子为67半导体：导电介于导体和绝缘体之间的物体一般外层电子为４或氧化物二本征半导体（纯净半导体）完全纯净排列整齐结构完整的半导体晶体 4DIGITAL LOGIC CIRCUIT pi：空穴的浓度自由电子作定向运动——电子电流价电子递补空穴运动——空穴电流导电过程受温度的影响电流很小本征掺杂

• 半导体.ppt

  一 固体的能带123实验表明:45导体、半导体和绝缘体的比较6二本征半导体和杂质半导体1 本征半导体：纯净的无杂质的半导体72杂质半导体电子型（简称 n 型）半导体8空穴型（简称 p 型）半导体9三 pn 结1011四 光生伏特效应 这种由光的照射，使 pn 结产生电动势的现象，叫做光生伏特效应 END12

• 半表半里案.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级病案张某男57岁身发寒热已二十余日曾服药发汗汗出又复畏风全身倦怠无力不思饮食小便黄量甚少舌苔薄黄质红脉弦数辨证立法：病已二十余日邪正互争寒热时作病在半表半里之间故服药虽汗出而邪仍不得解小便黄少苔黄舌红而脉弦数说明兼有里热拟和表里清内热通利膀胱水道之法治之处方： 赤白芍各6g 川桂枝(柴胡4.5g同炒)1.5g 炒香豉6g

• 半导体器件-半导体工艺-氧化.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体工艺简介物理与光电工程学院张贺秋参考书：《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》电子工业出版社赵树武等译2004-10室内环境：要求很严恒温恒湿气流名称集成度(数字MOS集成电路)小规模集成电路(SSI)<100中规模集成电路(MSI)102103大规模