单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级模拟电子技术基础——电子教案 V2.01.1 信号1.3 模拟信号和数字信号1 绪论1.2 信号的频谱1.4 放大电路模型1.5 放大电路的主要性能指标1. 信号: 信息的载体微音器输出的某一段信号的波形 1.1 信号2. 电信号源的电路表达形式电压源等效电路电流源等效电路 1.1 信号1. 电信号的时域与频域表示
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级6 模拟集成电路6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术6.3 差分式放大电路的传输特性6.4 集成电路运算放大器6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应 用电路的影响6.2 差分式放大电路6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术6.1.1 BJT电流源电路6.1.2 FET电流源1. 镜像电流源2. 微
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级4 双极结型三极管及放大电路基础4.1 半导体三极管4.3 放大电路的分析方法4.4 放大电路静态工作点的稳定问题4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路4.2 共射极放大电路的工作原理4.6 组合放大电路4.7 放大电路的频率响应4.1 半导体三极管4.1.1 BJT的结构简介4.1.2 放大状态下BJT
5 场效应管放大电路N沟道绝缘栅型 沟道长度调制效应符号 vGS越大导电沟道越厚?沟道电位梯度?预夹断后vDS?3. V-I 特性曲线及大信号特性方程② 可变电阻区 V-I 特性:(N沟道增强型)1. 开启电压VT (增强型参数)考虑到 MOSFET放大电路.1 MOSFET放大电路满足饱和区由于负载开路交流负载线与直流负载线相同 (1)模型3. 小信号模型分析 J
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级5.1 金属-氧化物-半导体场效应管5.2 场效应管放大电路5.5 各种放大器件电路性能比较5 场效应管放大电路5.3 结型场效应管5.4 砷化镓金属-半导体场效应管15 场效应管放大电路N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道(耗尽型)FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型分类:25.1 金属-氧
1 绪论 信号——基波分量C. 非周期信号 信号的频谱1. 放大电路的符号及模拟信号放大理想情况2. 电流放大模型C. 互阻放大模型(自学) 放大电路的主要性能指标 在输入正弦信号情况下输出随输入信号频率连续变化的稳态响应称为放大电路的频率响应4. 频率响应 对不同频率的信号相移不同产生的失真
PN结的形成及特性 半导体材料硅和锗都是四价元素外层原子轨道上具有四个电子称为价电子价电子受原子核的束缚力最小物质的性质是由价电子决定的 4 在N型半导体中自由电子是多数载流子它主要由杂质原子提供空穴是少数载流子 由热激发形成 2. P型半导体P型半导体中: 空穴是多数载流子主要由掺杂形成 电子是少数载流子由热激发形成以上三个浓度基
Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level高等教育出版社电子技术基础模拟部分第五版主编 康华光2345678湖南人文科技学院田汉平1213141516171213141516171819202122232345678910
电子技术基础(数字部分)第五版1 数字逻辑概论发展迅速应用广泛电子计算机数码相机DVD (其他内容请同学们自己阅读)分析工具:逻辑代数分析对象:输入与输出之间的逻辑关系表达方式:(1)真值表(2)功能表(3)逻辑表达式(4)波形图(5)卡诺图模拟信号:时间幅度均连续数字信号:时间幅度均离散1(b) 16位数据的图形表示数码10i八进制161.二进制-----十进制例1. 将二进制数转换成十进制数
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1.1 信号1.3 模拟信号和数字信号1 绪论1.2 信号的频谱1.4 放大电路模型1.5 放大电路的主要性能指标1. 信号: 信息的载体微音器输出的某一段信号的波形 1.1 信号2. 电信号源的电路表达形式电压源等效电路电流源等效电路 1.1 信号1. 电信号的时域与频域表示A. 正弦信号 1.2 信号的频谱时域
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报