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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体物理复习第一章一基本概念1. 能带允带禁带K空间的能带图能带: 在晶体中可以容纳电子的一系列能级允带:分裂的每一个能带都称为允带禁带:晶体中不可以容纳电子的一系列能级K空间的能带图:晶体中的电子能量随电子波矢k的变化曲线即E(K)关系(1)越靠近内壳层的电子共有化运动弱能带窄(2)各分裂能级间能量相差小看作准连续(3)
基础知识1导体,绝缘体和半导体的能带结构有什么不同并以此说明半导体的导电机理(两种载流子参与导电)与金属有何不同?2什么是空穴它有哪些基本特征以硅为例,对照能带结构和价键结构图理解空穴概念。3半导体材料的一般特性。4费米统计分布与玻耳兹曼统计分布的主要差别是什么?什么情况下费米分布函数可以转化为玻耳兹曼函数。为什么通常情况下,半导体中载流子分布都可以用玻耳兹曼分布来描述。5由电子能带图中费米能
习题课刘恩科 ----课后习题第一章半导体中电子状态第二章半导体中杂质和缺陷能级
半导体复习(名词解释)2013·1·16??1?离子晶体:正负离子交替排列在晶格格点上靠离子键结合成的晶体?共价晶体:由共价键结合形成的晶体?2?布拉菲点阵:实际晶体可以看作基元在空间的周期性重复排列把基元看作是一个几何点按晶体相同的周期在空间进行排列得到的点阵称为这种晶体的布拉菲点阵?3?原胞:构成布拉菲点阵的最小平行六面体格点只能在顶点?晶胞:?布拉菲点阵中能反映其对称性前提下的体积
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半导体工艺技术第十章 刻蚀372.065.1.01集成电路工艺原理第十四讲 薄膜淀积原理半导体工艺技术 张晓波xbzhangncut.edu三教24062512 微电子实验室Tel:8880311813681100693 1两大关键问题:选择性方向性:各向同性各向异性待刻材料的刻蚀速率掩膜或下层材料的刻蚀速率横向刻蚀速率纵向刻蚀速率图形转移过程演示图形转移光刻刻蚀2
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式半导体物理单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式2007.11.1半导体物理复习课第一章 半导体中的电子状态晶体结构与共价键金刚石型结构闪锌矿型结构纤锌矿型结构氯化钠型结构能级与能带电子在原子核势场和其他电子作用下分列在不同能级相邻原子壳层形成交叠原子相互接近 形成晶体共有化运动共有化运
二.静电场中的电介质四.电场能量讨论题改变上电量的变化求:球壳电势解:场强分布
北京大学 微电子学研究所 半导体及其基本特性 北京大学固体材料:超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106104(?cm)-1 半导体: 10410-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1什么是半导体从导电特性和机制来分:不同电阻特性不同输运机制1. 半导体的结构原子结
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