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• 第72讲_电工电子技术(八)(2011年新版).doc

  (图8-6-2中的0A段)。这个区域通常称为死区，对应的电压称死区电压或阈值电压；锗管约0．1V，硅管约0．5V。当正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，流过二极管的电流迅速增加，二极管正向导通。正向导通时的管压降，硅管约0．6V～0．8V，锗管约0．1V～0．3V。(2)反向特性。在反向电压作用下，P区的少数载流子电子与N区的少数载流子空穴产生漂移运动，形成很小的反向饱和电流，如图8-6-

• 第72讲_电工电子技术(八)(2011年新版)(1).doc

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• 第82讲_电工电子技术（十）（2010年新版）.doc

  例：1．在共发射极放大电路中集电极电阻Rc的主要作用是(B) (A)输出端接负载时减小输出电阻 (B)将电流放大转变为电压放大 (C)将电压放大转变为电流放大 (D)避免集电极电流过大烧毁晶体管2．上图所示电路中晶体管输入电阻rbe=1k欧放大器的电压放大倍数为(D)A － B 50 C -1 D 1解：所示电路为共集电极电路为射极跟随器即输出电压与输入电压相等相位相同3．如图

• 第78讲_电工电子技术(六)(2010年新版).doc

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• 第79讲_电工电子技术(七)(2010年新版).doc

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• 第73讲_电工电子技术(一)(2010年新版).doc

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• 第75讲_电工电子技术(三)(2010年新版).doc

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• 第74讲_电工电子技术(二)(2010年新版).doc

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• 第77讲_电工电子技术(五)(2010年新版).doc

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