半导体工艺简介掺杂工艺-离子注入微电子学院张贺秋参考书:《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》,电子工业出版社,赵树武等译,2004-10, 第7、8、9和11章为什么要用离子注入进行掺杂?Why(1)热扩散的限制1横向扩散和位错2位错晶体损伤3实现浅结困难4掺杂浓度控制精度5表面污染 (2)离子注入优点1无侧向扩散2精确控制掺杂的数量及位置3离子注入浓度最大值不在表面4掩膜(光刻胶、金属膜和二
半导体工艺简介掺杂工艺微电子学院张贺秋参考书:《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》,电子工业出版社,赵树武等译,2004-10, 第7、8、9和11章什么是掺杂工艺?What ?集成电路生产过程中要对半导体基片的一定区域掺入一定浓度的杂质元素(什么是掺杂?What), 形成不同类型的半导体层, 来制作各种器件(为什么掺杂?Why), 这就是掺杂工艺。怎么掺杂?How ?1、扩散2、离子注入3、生
半导体工艺简介微电子学院张贺秋参考书:《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》,电子工业出版社,赵树武等译,2004-10, 第7、8、9和11章10nm(10-6cm)半导体工艺尺寸粗头发100?m(10-2cm)10-3cm(10 ?m)1000倍10万倍(105倍)01cm1000cm(10m)10cm灰尘颗粒的直径一般在10-3cm(10?m)室内环境:要求很严,恒温、恒湿、气流洁净度等级中国
光电器件半导体激光器(注入式激光器、结激光器或激光二极管)Semiconductor Laser(Light amplification by stimulate emission of radiation;受激辐射光放大) 半导体激光器特点及应用特点:1、窄光谱线宽;2、高稳定性;3、低输入功率;4、结构简单;5、光线的高方向性、干涉行;6、高开关速度。应用:半导体激光器在低功率应用上可以连续(
一概述 制作掩膜版 将掩膜版上的图形转移到硅片表面的光敏薄膜上 刻蚀 离子注入 (掺杂)2.光刻胶的组成树脂 感光剂 溶剂 另外还有添加剂4.光刻胶的特性数值孔径(NA):透镜收集衍射光的能力NA测量透镜能够接收多少衍射光并且通过把这些衍射光会聚到一点成像NA=透镜的半径透镜的焦长可以通过增加镜头半径来增加NA并俘虏更多衍射光的方式这也意味着
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体工艺简介物理与光电工程学院张贺秋参考书:《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》电子工业出版社赵树武等译2004-10室内环境:要求很严恒温恒湿气流名称集成度(数字MOS集成电路)小规模集成电路(SSI)<100中规模集成电路(MSI)102103大规模
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1半导体光电子器件 参考教材:半导体光电子技术 : 许长存 出版:西安电子科技大学 88201500(O)13319276116hmzhangxidian.edu 88201644(O)13759950555guohuimail.xidian.edu2 概述半导体器件基本
①④本征半导体的导电能力很低因为他们只含有很少的热运动产生的载流子某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目所以掺杂质的半导体导电能力好例如:掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体假设硅晶体中已掺入少量的磷磷原子进入了原本该由硅原子占有的晶体结构中的位置磷作为第5组元素由5个价电子磷原子共享了4个价电子给它周围的4个硅原子4对电子对给了磷原子8个共享的电子加上还有1个未共享的电子一共由9个价电子由于原子价层
CMOS工艺plementary Metal-Oxide-SemiconductorSilicon SubstrateP+Silicon Epi LayerP-P- WellN- WellN+ DrainN+ SourceP+ DrainP+ SourceBPSGW Contact PlugMetal1IMD1 W Via PlugPassivationBond PadPoly GateG
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体发光器件半导体光电器件发光器件类型LEDLCD光敏电阻光电耦合器光电二极管光电三极管光电器件导航须知显示器件的类型VFD 荧光显示器PDP 等离子显示器ECD 电致变色显示器EPD 电泳显示器PLZT 铁电陶瓷显示器LED (Light Emitting diode) 发光二极管LCD (Liq
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