单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级TPTNVDDVIVO? 电路结构:PMOS作负载管开启电压为负-V t h NMOS作输入管开启电压为正 V t h 两个栅极G并联作输入端G两个漏极D串连作输出端DD 两个衬底都和源极S接在一起PMOS管源极接电源VDDNMOS管源极接地? 正常工作条件: 电源电压大于两管开启电压绝对值之
第 3 章 CMOS门电路2/32继电器逻辑电路20世纪30年代,贝尔实验室第一部二进制加法器(1937)和后来的复数运算器(1940),采用继电器逻辑(Relay Logic)3/39简单的回顾按照使用器件技术的不同,数字逻辑电路可以分为:继电器逻辑电路:RL逻辑电路双极型晶体管电路:TTL逻辑电路,ECL电路单极型MOS电路:NMOS,PMOS和CMOS等常用的是TTL和CMOS电路本世纪80
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 MOS门电路:以MOS管作为开关元件构成的门电路 MOS门电路尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单集成度高抗干扰能力强功耗低价格便宜等优点得到了十分迅速的发展CMOS 门电路42120221CMOS反相器1.MOS管的开关特性 MOS管有NMOS管和PMOS管两种 当NMOS管和
CMOS逻辑门电路1. MOS管的开关特性uo=01. MOS管的开关特性NMOS管D导通10 0 CMOS门电路 BiCMOS门电路MN截止 M1截止 T2截止MN②C1 即C端为高电平(VDD) 端为低电平(0V)时TN和TP都具备了导通条件输入和输出之间相当于开关接通一样uouiCMOS TSL门
北航电工电子中心北航电工电子中心北航电工电子中心北航电工电子中心8TTL与CMOS门电路的互连:UCC = 5V时TTL及CMOS门电路的主要参数: 1V ﹣ 北航电工电子中心 图 7 上拉电阻R实验内容用CD4007实现 画出接线图将实验结果填入真值表中并测出高低电平值用CD4007实现 画
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级数字电子技术基础阎石主编(第五版)信息科学与工程学院基础部0前级输出为低电平时N1决定于门的个数 前级输出为高电平时N2决定于输入端的个数与非门扇出系数的计算前级无论输出为高低电平N都决定于输入端的个数或非门扇出系数的计算【】内容回顾1三 集电极开路门(OC门)符号RLVCC【】内容回顾2ABY符号功能表四三态门低电平起作
第 3 章 CMOS门电路孙卫强232继电器逻辑电路20世纪30年代贝尔实验室第一部二进制加法器(1937)和后来的复数运算器(1940)采用继电器逻辑(Relay Logic)输入A输入B输出高高高高低低低低低低高低339简单的回顾按照使用器件技术的不同数字逻辑电路可以分为:继电器逻辑电路:RL逻辑电路双极型晶体管电路:TTL逻辑电路ECL电路单极型MOS电路:NMOSPMOS和CMOS等常用的
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2.5.1 CMOS反相器 2.5.2 其它类型的CMOS门电路 2.5 CMOS 门电路2.6.3 TTL门电路和CMOS门电路的相互连接 2.6.1 CMOS门电路的使用知识 2.6.2 TTL门电路的使用知识 2.6 CMOS门电路和TTL门电路的使用知识及相互连接本章小结 返回结束放映41220221复习
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级5 场效应管放大电路5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管5.3 结型场效应管(JFET)5.4 砷化镓金属-半导体场效应管5.5 各种放大器件电路性能比较5.2 MOSFET放大电路5.1 场效应管 (另一类三端放大器件)增强型E型耗尽型D型N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道(耗尽型)场效应管(FET)结
概 述微变参数场效应管的微变参数Uds微变等效电路场效应管偏置电路适合增强型MOS管基本自给偏置电路-IDRS注:要求UG>US才能提供一个正偏压增强型管子才能 正常工作GS=GSri=RG(R1R2)GUgsri=RG输出电阻roD? 共栅放大电路Id输入电阻电压增益输出电阻
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