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第七节 半导体三极管及基本放大电路一、半导体三极管(一)基本结构半导体三极管(简称晶体管)是在一块半导体上生成两个PN结组成,有NPN和PNP两大类型,其结构和符号如图8-7-1所示。由图可见,它们有三个区,分别称为发射区、基区和集电区。三个区各引出一个电极,分别称为发射极E、基极B、集电极C。发射区和基区之间形成的PN结称发射结,基区和集电区之间的PN结称集电结。晶体管制造工艺的特点是:发射区
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例:1.在共发射极放大电路中集电极电阻Rc的主要作用是(B) (A)输出端接负载时减小输出电阻 (B)将电流放大转变为电压放大 (C)将电压放大转变为电流放大 (D)避免集电极电流过大烧毁晶体管2.上图所示电路中晶体管输入电阻rbe=1k欧放大器的电压放大倍数为(D)A - B 50 C -1 D 1解:所示电路为共集电极电路为射极跟随器即输出电压与输入电压相等相位相同3.如图
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