第7章 波形发生电路71 正弦波振荡电路72 非正弦信号发生器73 集成函数发生器8083简介74压控振荡器71 正弦波振荡电路711 正弦波振荡电路的基础知识1 自激振荡现象扩音系统在使用中有时会发出刺耳的啸叫声, 其形成的过程如图71所示。图 71自激振荡现象2 自激振荡形成的条件 可以借助图72所示的方框图来分析正弦波振荡形成的条件。 图 72 振荡电路的方框图 由此可见, 自激振荡形成的
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级直流稳压电源第9章 直流稳压电源9.1 概述9.2 硅稳压管稳压电路9.3 串联型稳压电路9.4 三端集成稳压器9.5 开关稳压电源9.1 概 述 9.1.1 演示电路 1.演示电路 如图9.1所示T1为自耦变压器T2为电源变压器V1V4为整流
第3章 场效应管及其应用31 场效应管及其应用32 场效应及其放大电路31 场效应管 场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。 311结型场效应管1 结型场效应管的结构及工作原理1) 基本结构及符号如图31(a)所示, 在一块N型硅半导体两侧制作两个P型区域, 形成两个PN结, 把两个P型区相连后引出一个电极, 称为栅极, 用字母G(或g)表示。 图 31结型场效应管结构
直接耦合放大器存在的问题 ? 图一只手捏住管壳 (4. 1) 图 无调零电位器的差放电路 图 差模输入电路
(四) 实训内容 1. 单相半波整流和滤波电路 (1) 按实图接线经检查无误后接通220V交流电开关S打开时测输入 输出电压并观察波形记录测量结果 (2) 闭合开关S测量输出电压并观察输出波形并比较S打开和闭合的输出电压数值和波形 (3)改变滤波电容(增大或减小) 重复上述实训内容 2. 桥式整流和滤波电路 按实图电路接线测试
一. 从一个例子说起——稳定工作点电路UE反向传输——信号从输出端到输入端的传输负反馈——输入量不变时引入反馈后使净输入量减小放大倍数减小本级反馈——反馈只存在于某一级放大器中反馈网络FAF=Xo Xi故为串联负反馈反馈量与输出电压成比例所以是电压反馈反馈量与输出电流成比例所以是电流反馈iF?反馈量与输出电流成比例所以是电流反馈判定方法——瞬时极性法判断方法——输出短路法: 此时反
单击以编辑母版标题样式单击以编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级7. 集成运放在模拟运算方面的应用理想运放工作在线性区理想运放1.虚断路原则iiui对于理想运放rid相当于两输入端之间短路uiiirid=对于理想运放?u–? u相当于两输入端之间断路uOii? 0Aodui ? 0rid2.虚短路原则理想运放工作在线性区的分析依据uo=ui–u–=u AoduiuO––工作在线性区理想运放工作
N沟道-sN2. 结型场效应管的工作原理(以N沟道为例)(2)漏源电压对沟道的控制作用 3 结型场效应管的特性曲线uDS=-2VuDSu3(2)夹断电压UP UP 是耗尽型MOS管和结型管的参数当uGS=UP时漏极电流为零1Vci一. 场效应管放大器的直流偏置电路gDD计算Q点:Tug3-g其中:rgs是输入电阻理论值为无穷大可以忽略rds为输出电阻类似于双极型晶体管的rce可以忽略-c
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1 常用半导体器件1.1 半导体基础知识1.2 半导体二极管1.3 晶体三极管1.4 场效应管1.5 单结晶体管和晶闸管1.6 集成电路中的元件1.1 半导体基础知识 在物理学中根据材料的导电能力可以将它们划分为导体绝缘体和半导体 典型的半导体是硅Si和锗Ge它们都是4价元素硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三章 半导体二极管及其基本电路主要内容半导体的基本知识PN结的形成半导体二极管及其性质与参数特殊二极管半导体材料及特性半导体的共价键结构本征半导体空穴及其导电作用杂质半导体 §3.1 半导体的基本知识 半导体是一种导电特性位于导体和绝缘体之间的物质典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等掺杂性:二极管三极管场
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