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  413 一个JFET的转移特性曲线如图题413所示，试问：它是N沟道还是P沟道FET？它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？解 由图题4．1．3可见，它是N沟道JFET，其VP＝–4 V，IDSS＝3 mA。433一个MOSFET的转移特性如图题4．3．3所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向）。试问：（1）该管是耗尽型还是增强型？（2）是N沟道还是P沟道FET？（3）从这个转移

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  711在图题711所示的各电路中，哪些元件组成了级间反馈通路？它们所引人的反馈是正反馈还是负反馈？是直流反馈还是交流反馈？（设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽略）解 图题中，由电阻R1、R2组成反馈通路，引人负反馈，交、直流反馈均有；b图中，由Re1且人负反馈，交、直流反馈均有，由Rf1、Rf2引人直流负反馈；c图中，由Rf、Re2引人负反馈，交、直流反馈均有；d图中，由R1、R2引人负反馈

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  511在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们中哪一类放大电路效率最高？解 在输入正弦信号情况下，通过三极管的电流ic不出现截止状态（即导通角θ＝2π）的称为甲类；在正弦信号一个周期中，三极管只有半个周期导通（θ＝π）的称为乙类；导通时间大于半周而小于全周（π＜θ＜2π）的称为甲乙类。其中工作于乙类的放大电路效率最高，在双电源的互补对称电路中，理想情况下最高效率可达 7

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  模拟电子技术基础习题与解答241电路如图题241所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。解（1）求二极管的电流和电压（2）求vo的变化范围图题241的小信号模型等效电路如图解24l所示，温度 T＝300 K。当rd1=rd2=rd时，则的变化范围为，即1406V～1394V。243二极管电路如图243

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  612电路如图题612所示，所有BJT的β均很大，VBE＝07V，且T2、T3特性相同，电路参数如图。问：（1）T2、T3和R组成什么电路？在电路中起什么作用？（2）电路中T1、Re1起电平移动作用，保证vi＝0时，vo＝0。求IREF、Ic3和Re1的值。解（1）T2、T3和R组成镜像电流源电路，在电路中作为 BJTT1的恒流源负载，提高带负载能力。（2）当vi＝0时，vo＝0622 双端输

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  811在同相输人加法电路如图题811所示，求输出电压；当R1＝R2＝R3＝Rf时，＝？解输出电压为式中 即若，则814 电路如图题814所示，设运放是理想的，试求vO1、vO2及vO的值。解A1、A2组成电压跟随电路A3组成加减电路。利用叠加原理。当V3＝0，反相加法时，A3的输出电压为当vO1＝0，vO2＝0，V3＝+3V时，A3的输出电压为叠加得输出电压为817 图题817为一增益线性调节

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  311 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 VA＝－9 V，VB＝一6 V，Vc＝6．2 V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。解 由于锗BJT的|VBE|≈02V，硅BJT的|VBE|≈0．7V，已知用BJT的电极B的VB＝一6 V，电极C的Vc＝–6．2 V，电极A的VA＝－9 V，故电极A是集电极。又根据BJ

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  921电路如图题921所示，试用相位平衡条件判断哪个电路可能振荡，哪个不能，并简述理由。解 图题所示电路不能振荡。用瞬时（变化）极性法分析可知，从T1栅极断开，加一“（＋）”信号，则从 T2射极输出为“（－）”，即。考虑到 RC串并联网络在时，因此反馈回T1栅极的信号为“（－）”，即，不满足相位平衡条件。图题921b所示电路能振荡。当从运放同相端断开并加一“（＋）”信号，则vo为“（十）”，即

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