2二是要求放大后的信号波形与放大前的波形的形状相同或基本相同即信号不能失真否则就会丢失要传送的信息失去了放大的意义(1)电压放大器91. 所有的电源置零 (将独立源置零保留受控源)Us4通频带fBW=fH–fLUAt一. 共射放大电路的基本组成212.阻容耦合共射放大器273. 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流作业:P1281301静态工作点UBEQC2UCEuCE怎么变化ttt
半导体材料及导电特性 .1 本征半导体电子空穴动态平衡(一)N型半导体(N Type semiconductor) T=300k(一)N型半导体(N Type semiconductor) 接受(三)杂质半导体中的载流子浓度 ●○○●●电子的平均漂移速度为: Vn=-unE 返回- PN结的形成及特点-- 在N型和P型半导体的界面两侧明显地存在着电子和空穴的浓度差导致载流子
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级下课模 拟 电 子 线 路主讲: 李贤志 副教授办公室:A201电 话:3306878(O) 3387761(H)Email:Lixzhic.edu第6章 集成运算放大器及其应用电路6.1 集成运放应用电路的组成原理6.2 集成运放的性能参数及其对应用电路的影响6.4 集成电压比较器返回6
#
#
模拟电子电路 模拟试题1答案填空题(每空分共30分) 硅PNP集电极饱和增大601000恒(电)流源稳定静态工作点???0反向求和电路滞回比较电路抗干扰能力强∣AF∣=1ФAФF=±2n? (n=0123…)三端稳压-5V选择题(每空2分共14分)图RbRcC1C2RLUi-VCC Uo-1.D 2.C 3.A 4.A 5.C 计算题(本题20分)电容C1位置不对电路无
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级模拟电子技术基础安徽理工大学电气工程系主讲 :黄友锐第六讲3.2.3 三极管的低频小信号模型(1)模型的建立(2)主要参数(3)h参数(4)h参数微变等效电路简化模型 (1)模型的建立 1.三极管可以用一个模型来代替 2.对于低频模型可以不考虑结电容的影响 3.小信号意味着三极管在线性条件下工作微变也 具有
#
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级模拟电子部分实验1 电子技术实验常用仪器仪表的使用及二极管和三极管测试 实验2 单管放大电路 实验3 运算放大器的基本运算电路 实验4 正弦波振荡电路 实验5 积分与微分电路 实验6 自选频率正弦振荡器和反相放大器耦合的设计与实施 返回实验内容实验1 电子技术实验常用仪器仪表的使用及二极管和三极管测试 一实验目的学
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 通过本章学习要了解新民主主义革命理论形成的历史背景和历史过程掌握这一理论的基本内容 充分认识其历史意义和现实意义认真体会新民主主义革命理论所体现出来的马克思主义的立场观点和方法 教学目的与要求新民主主义革命理论新民主主义革命理论的形成新民主主义革命
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报