相关文档

• 半导体物理习题解答.doc

  10 半导体物理习题解答第一章 晶体结构1、(1)底心立方结构是布拉伐格子，其格子为简正方格子,三个原基矢分别为(2)侧面心立方和(3)边心立方结构均非布拉伐格子。侧面心立方结构由三套简立方格子套构而成，边心立方结构由四套简立方格子套构而成，其格子均为简立方格子。2、略3、略4、略5、正格子倒格子 原基矢和倒基矢分别为 原胞原子数为2,面积为第二章 晶格振动和晶格缺陷该双原子链的周期或晶格常数为

• 半导体物理典型习题与解答.ppt

  半导体物理典型习题与解答一、固体物理基础知识二 、半导体晶体结构与能带三、半导体中的电子状态四、 半导体中杂质和缺陷五、半导体的导电性六、非平衡少数载流子七、PN结八、肖特基势垒九、MOS电容

• 半导体物理习题答案.doc

  半导体物理习题解答1－1．（P32）设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：Ec(k)=和Ev(k)= －m0为电子惯性质量k112aa试求：①禁带宽度②导带底电子有效质量③价带顶电子有效质量④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化[解] ①禁带宽度Eg根据0可求出对应导带能量极小值Emin的k值：kmin由题中EC式可得：EminEC(K)k=k

• 半导体物理习题及答案.doc

  复习思考题与自测题原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同 答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在没有一个固定的轨道而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子在晶体周期性势场中运动当原子互相靠近结成固体时各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层和孤立原子一样然而外层价电子则参与原

• 半导体物理习题与答案.doc

  习题 半导体中的电子状态什么叫本征激发温度越高本征激发的载流子越多为什么试定性说明之试定性说明GeSi的禁带宽度具有负温度系数的原因试指出空穴的主要特征1-4简述GeSi和GaAS的能带结构的主要特征1-5某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV晶格常数a=5х10-11m求：能带宽度能带底和能带顶的有效质量升高则禁带宽度变窄跃迁所需的能量变小将会有更多的电子被激发到导带中解：电子的共有化运

• 半导体物理习题及答案.doc

  1－1．（P32）设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：Ec(k)=和Ev(k)= －m0为电子惯性质量k112aa试求：①禁带宽度②导带底电子有效质量③价带顶电子有效质量④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化[解] ①禁带宽度Eg根据0可求出对应导带能量极小值Emin的k值：kmin由题中EC式可得：EminEC(K)k=kmin=由题中EV

• 半导体器件物理习题讲解.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体器件物理习题讲解 第二章 热平衡时的能带和载流子浓度1. (a)硅中两最邻近原子的距离是多少解答: (a) 硅的晶体结构是金刚石晶格结构这种结构也属于面心立方晶体家族而且可被视为两个相互套构的面心立方副晶格此两个副晶

• 2010《半导体物理》期中试题解答.ppt

  在常温下将浓度为1014cm3 的As 掺入Si半导体中该半导体中起主要散射作用的是 C 杂质散射光学波散射声学波散射多能谷散射ES掺入硅：强电离区强电离区九一个晶格常数为a的一维晶体其电子能量E与波矢k的关系是：讨论在这个能带中的电子其有效质量和速度如何随k变化得证 样品的费米能级位于导带底Ec下方

• 半导体物理学第二章习题解.doc

  半导体物理学第二章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么 答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上实际半导体中原子不是静止的而是在其平衡位置附近振动 （2）理想半导体是纯净不含杂质的实际半导体含有若干杂质 （3）理想半导体的晶格结构是完整的实际半导体中存在点缺陷线缺陷和面缺陷等2. 以As掺入Ge中为例说明什么是施主杂质施主杂质电离过

• 半导体物理学（刘恩科第七版）半导体物理学课本习题解.doc

  第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=(1)禁带宽度(2)导带底电子有效质量(3)价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：(1) 2. 晶格常数为的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解：根据： 得 补充题1分别计算Si(100