《电力电子技术》 试卷填空(共15分1分空)1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类晶闸管属于其中的()型器件3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U2忽略主电路各部分的电感)与电阻负载时相比晶闸管提前了电角度δ停止导电δ称为()角数量关系为δ=()4.三相桥式全控整流电路
《电力电子技术》 试卷填空(共15分1分空)1.电力电子技术通常可分为( )技术和( )技术两个分支2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为( )型器件和( )型器件两类晶闸管属于其中的( )型器件3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U2忽略主电路各部分的电感)与电阻负
电力电子技术试题1请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 GTR 可关断晶闸管 GTO 功率场效应晶体管 MOSFET 绝缘栅双极型晶体管IGBT IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管2晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 触发脉冲前沿要陡幅值要高 和
《电力电子技术》试卷及答案 一填空(每空1分36分) 1请在正确的空格内标出下面元件的简称: 电力晶体管?GTR??可关断晶闸管GTO?功率场效应晶体管?MOSFET?绝缘栅双极型晶体管?IGBT? IGBT是??MOSFET 和??GTR??的复合管 2晶闸管对触发脉冲的要求是???要有足够的驱动功率? ????触发脉冲前沿陡幅值要高????和??触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 3多个晶闸
电力电子技术试题(第一章)填空题1普通晶闸管内部有 PN结外部有三个电极分别是 极 极和 极1两个阳极A阴极K门极G2晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时门极上加上 电压晶闸管就导通2正向触发3晶闸管的工作状态有正向 状态正向 状态和反向 状态阻断导通阻断4某半导体器件的型号为KP50
电力电子技术试题(第一章)填空题1普通晶闸管内部有 PN结外部有三个电极分别是 极 极和 极1两个阳极A阴极K门极G2晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时门极上加上 电压晶闸管就导通2正向触发3晶闸管的工作状态有正向 状态正向 状态和反向 状态阻断导通阻断4某半导体器件的型号为KP50
《电力电子技术》试题填空1双向晶闸管的图形符号是??????????? 三个电极分别是???????? ??????? 和???? ?????双向晶闸管的的触发方式有?????????????? ?????????????????????????????????? ????????????????.2单相全波可控整流电路中晶闸管承受的最大反向电压为??? ?????????三相半波可控整流电路
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电力电子技术试题1请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 GTR 可关断晶闸管 GTO 功率场效应晶体管 MOSFET 绝缘栅双极型晶体管IGBT IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管2晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 触发脉冲前沿要陡幅值要高
电力电子技术答案2-1与信息电子电路中的二极管相比电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构使得硅片中通过电流的有效面积增大显著提高了二极管的通流能力2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区也称漂移区低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体由于掺杂浓度低低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿2-2.
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