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P型半导体2光电阴极 (1)结构——把光电发射体镀在金属或透明材料 (玻璃或石英玻璃)上就制成了光电阴极 (2)常用材料:Ag-O-Cs:近红外唯一具有使用价值的阴极材料CsSb:可见紫外区有较高的响应率多碱光电阴极(双三四碱)负电子亲和势材料二次电子发射的过程:材料吸收一次电子的能量激发体内电子到高能态(二次电子)体内二次电子中初速度指向表面的那一部分向
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激光是20世纪以来继原子能计算机半导体之后人类的又一重大发明被称为最快的刀最准的尺最亮的光和奇异的激光它的亮度为太阳光的50亿倍它的原理早在 1916 年已被著名的物理学家爱因斯坦发现但要直到 1958 年激光才被首次成功制造激光是在有理论准备和生产实践 迫切需要的背景下应运而生的它一问世就获得了异乎寻常的飞快发展激光的发展不仅使古老的光学科学和光学技术获得了新生而且导致整个一门新兴产业的 出现
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结构简单Imaging System PipelineCMOSMOS场效应管是一种具有表面场效应作用的单极性半导体器件MOS负载电阻漏极跟随器T2而当复位脉冲消失后T1截止光电二极管开始积分光信号T2为源极跟随器它将光电二极管的高阻抗输出信号进行电流放大DPS 结构的CMOS图像传感器a 初始化 初始化时要确定器件的工作模式如:输出偏压放大器的增益取景器是否开通并设定积分时间e 信
缺点:结构复杂工作电压高体积大其量纲为μAW或AW当锑和几种碱金属形成化合物时具有更高的响应率Si从Si的导带底部漂移到表面Cs2O的导带底部此时电子只需克服EA2就能逸出表面对于P型Si的光电子需克服的有效亲和势为EAe=EA2-Ed由于能级弯曲使Ed>EA2这样就形成了负电子亲和势一真空光电管工作原理缺点:真空光电管一般体积都比较大工作电压高达百伏到数百伏玻壳容易破碎等 光电阴极 定义光
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44光电倍增管的供电电路 441电阻链分压型供电电路 光电倍增管具有极高的灵敏度和快速响应等特点,使它在光谱探测和极微弱快速光信息的探测等方面成为首选的光电探测器。 光电倍增管的供电电路种类很多,可以根据应用的情况设计出各具特色的供电电路。本节介绍最常用的电阻分压式供电电路。 如图4-8所示为典型光电倍增管的电阻分压式供电电路。电路由11个电阻构成电阻链分压器,分别向10级倍增极提供电压UDD。
返回 磁路及其分析方法 本章结合磁路和铁心线圈电路的分析讨论变压器和电磁铁的工作原理作为应用实例S均匀磁场: 各点磁感应强度大小相等方向相同的 磁场也称匀强磁场 任意选定一个闭合回线的围绕方向凡是电流方向与闭合回线围绕方向之间符合右螺旋定则的电流作为正反之为负 由实验可测得:真空的磁导率为: 磁性材料的磁导率通常都很高即 ?r
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