第 26 卷 第 8 期
万方数据
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第 4 卷第1 期
MOSCMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管MOSCMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单成品率较高功耗低组成的逻辑电路比较简单集成度高抗干扰能力强特别适合于大规模集成电路MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路即CMOS电路PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同只是电源极性相
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 MOS门电路:以MOS管作为开关元件构成的门电路 MOS门电路尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单集成度高抗干扰能力强功耗低价格便宜等优点得到了十分迅速的发展CMOS 门电路42120221CMOS反相器1.MOS管的开关特性 MOS管有NMOS管和PMOS管两种 当NMOS管和
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级数字电子技术基础阎石主编(第五版)信息科学与工程学院基础部0前级输出为低电平时N1决定于门的个数 前级输出为高电平时N2决定于输入端的个数与非门扇出系数的计算前级无论输出为高低电平N都决定于输入端的个数或非门扇出系数的计算【】内容回顾1三 集电极开路门(OC门)符号RLVCC【】内容回顾2ABY符号功能表四三态门低电平起作
高速CMOS 模拟集成电路中的静电保护电路设计上网时间:2008-09-30 ??:吴鹏何乐年陈曦 中心议题:集成电路失效的主要原因是静电放电 分析静电放电保护的基本原理指出传统ESD 保护电路的局限性 提出新电路结构并仿真得出结论 解决方案:采用ESD 保护电路避免静电将内部电路击穿 RC应该大于ESD 脉冲的时间常数同时短于一般上电的时间常数 建立合适的仿真模型并进行有效的仿真 随着
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