各制程不良分析手册站别号问题点定义原因分析标准1CU皮起泡1.IU或IIU前板面药水污染等板面不洁造成结合不佳2.电镀参数不合理导镀面结合粗糙不均不允许2线 状缩腰1.因刮伤或汗清洁不良导致干膜SC暗区产生条状凹痕2.因人造成或压膜不良造成干膜折痕3.DF后站药水污染致DF板暗区扩涨无造成断路且不小于规范线径之203线路分层1.IU或CUII前处理不彻底造成CU层之
PCB常见问题-Liaojinshi钻孔 常见问题一,断针(孔少,孔未透)A板面有异物或垫板有异物B铝片有折痕C夹头脏,spindle偏转过大 DT参数设定有误EZ值设定值不当F钻头本身质量差G压力脚磨损 二,孔塞 A板与板之间有间隙 B钻头质量差C吸尘力弱 DT参数设定有误E打巴厘时,铜渣卡在孔内 三,孔偏 A夹头脏Run-out偏大(15um w/c下)B室内温度偏高(18-28℃ 40-7
TONGJIANG G R O U P TONGJIANG CORPORATION钻 孔 常 见 问 题一断针(孔少孔未透)A.板面有异物或垫板有异物 B.铝片有折痕C.夹头脏spindle偏转过大 D.T参数设定有误E.Z值设定值不当 F.钻头本身
前处理内层课介绍392023显影后392023流程介绍:目的:对内层生产板进行检查挑出异常板并进行处理收集品质资讯及时反馈处理避免重大异常发生392023392023叠板3L17392023壓合课介绍壓合课介绍2224下PIN:目的:将钻好孔之板上的PIN针下掉将板子分出鑽孔 去毛頭(Deburr): 毛頭形成原因:鑽孔後孔邊緣的未切斷的銅絲及未切斷 的玻璃布 Deburr之目的:去除孔邊
二工程不良分析方法 1确定分析对策 在生产的全过程中不良项目一般很多但并不是所在项目都作为我们分析的对象具有代表意义的不良项目才作为分析的对象这样的目的是为了集中力量抓重点有的放矢 2分析的基本方法 ①不良何时发生(When) ②在哪里(Where) ③谁造成(发现)的(Who) ④不良现
二工程不良分析方法 1确定分析对策 在生产的全过程中不良项目一般很多但并不是所在项目都作为我们分析的对象具有代表意义的不良项目才作为分析的对象这样的目的是为了集中力量抓重点有的放矢 2分析的基本方法 ①不良何时发生(When) ②在哪里(Where) ③谁造成(发现)的(Who) ④不良现
按一下以編輯母片標題樣式按一下以編輯母片第二層第三層第四層第五層分析工具與規格介紹Issue by:Alan ChiuOct.10 021.將要觀察之物品放置於平台上.2.調整適當倍率及焦距至最清晰畫面.3.使用360°旋轉鏡頭觀察該物品之狀態.使用步驟:300X顯微鏡(300X Microscope)應用範圍(分析):1.零件吃錫面高度判定.2.空冷焊判定.3.異物辨識與錫珠辨識.4.零件破裂情
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19Confidential???:???? ??TF?Module?09. 11. 12?? ???? ?? Manual (2)[Rev 0.1](LCD 型号分析Process)目 次分析必要设备全面 Flow chart细部分析不良原因及归类体系检查工程REPAIR 室制造技术驱动不良分析体系不良发生JIG Cr
焊线不良分析:焊线各点图示与位置:晶片或IC金球金線ABDE银胶A点:晶片电极与金球结合处B点:金球与金线结合处即球颈处C点:焊线线弧所在范围D点:支架二焊焊点与金线结合处E点:支架二焊焊点与支架阳极结合处银胶与支架剥离原因:A:银胶未烤干 B:支架污染C:银胶过少 D:银胶变质银胶与晶片剥离原因:A:银胶未烤干 B:晶片污染C:银胶过少 D:银胶变质E:环氧树脂应力过大晶片破损原因:A:
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