IGBT元件的并联注意事项并联连接时的电流平衡:由于门极-发射极连线电感LGRG还有Cies之间的关系如果在门极驱动环路内发生震荡有可能因为误动作和不饱和动作而导致元件损坏不发生震荡的RG的最小值与LG成正比增大因此应在尽可能减小电感的同时令RG在推荐值以上● 分布电感的差距与开通和关断时的过渡电流的不均衡有关请尽可能使IGBT之间集电极和发射极的连接线相同并且尽可能短● 请对每个IGBT元件附加
本由共利电梯论坛网友joy11422
マスタ タイトルの書式設定マスタ テキストの書式設定第 2 レベル第 3 レベル第 4 レベル第 5 レベルGangling Electronic Technical Development (Beijing) Co. Ltd.IGBT的并联使用三菱电力半导体说明 Mitsubishi Power Semiconductor Device港菱电子技术发展(北京)有限Gangling Ele
保存膜元件时的注意事项 膜元件的安装与拆卸 1 膜元件的安装 (1) 通常膜元件放置在 1浓度的亚硫酸氢钠溶液中保存运行前首先应用纯水 (合格的预处理产水或反渗透产水)充分冲洗 (2) 如图-1 所示膜元件进水侧有一个浓水密封圈注意密封圈的安装方向是口向进水侧张开浓水密封圈的功能是密封膜元件与膜壳之间的间隙保证进水全部经过膜元件内的通道流动进水侧的压力会使浓水密封圈的开口向膜壳内壁 紧压密
IGBT模块工作原理及其注意事项点击次数:602 发布时间:2009-5-9 11:36:45要:对IGBT的特性及使用时的注意事项进行了探讨提出了选择和安装过程中应该注意的方面1 IGBT模块简介??? IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件其输入极为MOSFET输出极
****************************************************************** **GFY2012 250888** **2012-06-15 ******************************************************************特别说明:广联达软件程序在发版时已经通过了国内外常用杀毒软件的兼
1.IGBT的基本结构绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层根据国际电工委员会的文件建议其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构N区称为源区附于其上的电极称为源极 N 区称为漏区器件的控制区为栅区附于其上的电极称为栅极沟道在紧靠栅区边界形成在漏源之间的P型区(包括P和P一区)(沟道在该区域
交联剂 交联剂是一种受热能放出游离基来活化高分子链使它们发生化学反应而相 互交联起来的一种助剂线性的热塑性树脂通过高分子链之间的交联反应可以得 到三维的网状结构这种结构可改进塑料耐热性差机械强度不高等缺点尤其 是提高塑料在高温下的热稳定性和化学耐蚀性使其具有工程塑料的某些性能从 而扩大其用途有些加工工艺如聚烯烃的发泡成型若没有交联剂的帮助就难以实 施特别像聚丙烯泡沫塑料更无法成型 线
IGBT并联技术技术详解IGBT并联均流问题?影响静态均流的因素1并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量因此需要尽量对称2IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的VF的差异因此尽量采取同一批次的产品3IGBT模块所处的温度差异设计机械结构及风道时需要考虑4IGBT模块所处的磁场差异5栅极电压Vge的差异影响动态均流的因素1IGBT模块的开通门槛电压VGEth的差异VGEth越高IGBT开通时
#
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报