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第 20 卷第 3 期
离子注入和退火对非故意掺杂4H-SiC中本征缺陷影响的ESR研究【摘要】 SiC是近几年迅速崛起的宽禁带半导体材料之一SiC材料具有很大的禁带宽度很高的迁移率以及良好的热导率等特性从而在高功率高频率和耐高温器件等方面具有极其重要的发展前景它既可用作器件的衬底也可作为器件间的隔离同时又可作为GaN材料的衬底材料到目前为止非故意掺杂4H-SiC外延材料的在国内的研究已经取得了显著的成就但是对于4
重庆
母排绝缘流化涂覆环氧树脂绝缘层的技术特性:固化条件(150℃60min)项目规格值试验要求主要成分环氧树脂 密度1.5 gcm3 颜色电工棕红(接近RAL3011) 击穿电压 (kVmm)≥20 kV㎜GB6554-86GB1408-89介电常数(25℃ 1kHz)0.004GB1409-88介电损耗(25℃1kHz)0.006GB1409-88体积电阻率(25℃1kHz)≥1015 Ω.㎝
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万方数据
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第31卷 第 3 期
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