直插式半导体三极管 单位:mm ? 国外型号ForeignType本厂型号NativeTypePC(mW)IC(mA)VCBO(V)VCEO(V)VEBO(V)ICBO(μA)VCB(V)VCE(sat)(V)IC(mA)IB(mA)hFE fT(MHz)封装Package管脚排列(mA)VCE(V)国外型号ForeignType本厂型号NativeTypePC(mW)IC(mA)
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贴片三极管的参数印字???? 器件????????厂商????类型????封装????器件用途及参数-28????PDTA114WU????Phi????N????SOT323????pnp dtr-24????PDTC114TU????Phi????N????SOT323????npn dtr R1 10k -23????PDTA114TU????Phi????N????SOT323????pn
MPSA92? ?? ?PNP 21E 视频放大?MPS2222A NPN 21 高频放大?9011 NPN EBC 高频放大?9012 PNP 贴片低频放大?9013 NPN EBC 低频放大?9013 NPN 贴片低频放大?9014 NPN EBC 低噪放大?9015 PNP EBC 低噪放大?9018 NPN EBC 高频放大?8050 NPN EBC 高频放大?8550 PNP
半导体三极管结构简介 t _blank 三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面如图1所示可有pnp和npn 两种组合三个接出来的端点依序称为 t _blank 发射极(emitterE) t _blank 基极(baseB)和 t _blank 集电极(collectorC)名称来源和它们在三极管操作时的功能有关图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号发射极特
按功率分: 小功率管 < 500 mW三极管的特性曲线N 型锗集电结晶体三极管工作原理发射结2. PNP 型三极管二电流放大原理uoCIIBN = IB ICBO 3) 集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 IC三极管放大的条件:输入回路取 VICEO条件: 发射结正偏 集电结反偏特点:
晶体管的结构和类型5. 晶体管的电流分配关系和放大作用5. 晶体管的特性曲线 晶体管的主要参数 温度对晶体管参数的影响NNb基极bN当前国内生产的硅晶体管多为NPN型(3D系列)锗晶体管多为PNP型(3A系列)NcbiCiERb为什么能实现放大呢 iCiBiCc共射输入特性输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线类似uBE●电流分配关系和放大作用℃大2 截止区iB = 0放20℃ 放大区
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第十四章 半导体二极管和三极管14.1 半导体的导电特性14.3 半导体二极管14.5 半导体三极管14.4 稳压管14.2 PN结14.1 半导体的导电特性 在物理学中根据材料的导电能力可以将他们划分导体绝缘体和半导体(Semiconductor) 典型的半导体是硅Si和锗Ge它们都是4价元素硅原子锗原子硅和
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