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MOSCMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管MOSCMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单成品率较高功耗低组成的逻辑电路比较简单集成度高抗干扰能力强特别适合于大规模集成电路MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路即CMOS电路PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同只是电源极性相
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级数字电子技术基础阎石主编(第五版)信息科学与工程学院基础部0前级输出为低电平时N1决定于门的个数 前级输出为高电平时N2决定于输入端的个数与非门扇出系数的计算前级无论输出为高低电平N都决定于输入端的个数或非门扇出系数的计算【】内容回顾1三 集电极开路门(OC门)符号RLVCC【】内容回顾2ABY符号功能表四三态门低电平起作
第 26 卷 第 8 期
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CMOS sensor 调试经验工频干扰消除(AFC)? 如果出现以如下图的这种水波纹就是工频干扰工频干扰是由于室内日光灯闪烁造成的CMOS与CCD 两种不同的工艺制造出来的sensor工频干扰现象是不一样的这是由暴光的方式不同造成的??????? CMOS是行暴光也就是在每行暴光时间决定了画面的亮度举例:一个50HZ的光源电压曲线为正弦曲线那能量曲线定性分析可以认为是取了绝对值的电压曲线那就
1TTL电平(什么是TTL电平):TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定5V等价于逻辑10V等价于逻辑0这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低另外TTL电平信号直接与集成电路连接
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1.功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比是较大的约为数十毫瓦(mw)而后者仅约为几十纳(10-9)瓦在输出电位发生跳变时(由低到高或由高到低)TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流引起较大的动态功耗 速度 通常以为TTL门的速度高于CMOS门电路影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性电路结构及内部的各电阻阻数值电阻数值越大工作速度越
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