单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级§2.2.1 三极管的结构和工作原理分类按频率分有高频管低频管按功率分有小中大功率管按材料分有硅管锗管按结构分有NPN型和PNP型国产三极管的命名方式3 D G 6三极管表示器件材料和极性高频管设计序号A:PNP锗材料B:NPN锗材料D:NPN硅材料C:PNP硅材料三极管的不同封装形式金属封装塑料封装大功率管中功率管
按结构分有NPN型和PNP型A:PNP锗材料大功率管 发射区? 基区很薄一般在几个微米至几十个微米且掺杂浓度最低发射结应加正向电压(正向偏置)2.电子在基区中的扩散与复合IB=IBN-ICBO较小ΔVI共基极连接VCCvCE ? 1V2. 输出特性曲线VCC截止区:iB=0的输出曲线以下的区域此时 发射结和集电结均反偏iC只有很小的反向电流当三极管在电路中处于放大状态时另一例题参见P30 交流电流
物质导电: 导体绝缘体和半导体 半导体: 电阻率为10-3109 ??cm 常见半导体:硅Si锗Ge砷化镓GaAs等(c)(动画2-2) P型半导体中空穴是多数载流子主要由掺杂形成 电子是少数载流子由热激发形成3 (动画2-3)2 PN结的导电特性 (动画2-5)(2) 扩散电容CDCdCDCB (几个十几个pf) 硅
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级§2.3 MOS场效应晶体管场效应管结型场效应三极管JFET绝缘栅型场效应三极管IGFETJunction type Field Effect TransistorInsulated Gate Field Effect Transistor分类N沟道P沟道金属氧化物半导体三极管MOSFET- Metal Oxide
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要求输出功率尽可能大是大信号工作状态应采用图解法甲乙类:功放管的导通时间大于信号的半个 周期而小于信号的一个周期§ 乙类双电源互补对称功放电路输出电流和电压的最大动态范围乙类互补对称功放电路结构转换效率η利用三极管的VBE提供可调偏置单电源和双电源功放电路参数计算公式的差异
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级3 半导体电路分析基础§3.1 放大电路及其性能表征放大的概念放大的实质输出信号大于输入信号即为放大放大电路输出信号的能量来源于有源器件上的直流偏置电源所以放大器实质上是一种能量控制器或能量转换器放大电路的性能表征放大倍数电压放大倍数电压增益电流放大倍数互导放大倍数互阻放大倍数--放大电路放大电路的性能表征输入电阻所以对信
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第二级第三级第四级第五级第3章 场效应管及其基本电路1.4 场效应三极管场效应管:一种载流子参与导电利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管又称单极型三极管场效应管分类结型场效应管绝缘栅场效应管特点单极型器件(一种载流子导电) 输入电阻高工艺简单易集成功耗小体积小成本低第一章 半导体器件N沟道P沟道增强型耗尽型N沟
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 通过本章学习要了解新民主主义革命理论形成的历史背景和历史过程掌握这一理论的基本内容 充分认识其历史意义和现实意义认真体会新民主主义革命理论所体现出来的马克思主义的立场观点和方法 教学目的与要求新民主主义革命理论新民主主义革命理论的形成新民主主义革命
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