Chap2 光源器件及材料Chap2 半导体材料的电学和光学特性 2.1 半导体材料的电学特性 2.2半导体材料的种类和特性及PN结 2.3半导体材料的光学特性 1金刚石型结构和共价键化学键: 构成晶体的结合力.共价键: 由同种晶体组成的元素半导体其原 子间无负电性差它们通过共用一对 自旋相反而配对的价
Chap2半导体材料的电学和光学特性Chap2 半导体材料的电学和光学特性 2.1 半导体材料的电学特性 2.2 半导体材料的光学特性 2.3 半导体材料的种类和特性及PN结 ?任何一种物质对光波都会或多或少地吸收?光在介质内传播时介质中的束缚电子在光波电场的作用下作受迫震动因此光波要消耗能量来激发电子的振动这些能量一部分又以次波的形式与入射波叠加成折射光波而射出介质?此外由于与
五、半导体的磁学性质 ? 霍尔效
设均匀不带电的介质的复折射率为 磁导率m=m0(对于光学中所讨论的大多数固体材料相对磁导率mr=1)介电常数e=ere0电导率s则光(频率为w)在中传播时有以下关系:以上公式中n0为折射率k为消光系数在半导体中最主要的吸收过程是电子由价带向导带的跃迁所引起的光吸收称为本征吸收或基本吸收.这种吸收伴随着电子-空穴对的产生使半导体的电导率增加即产生光电导显然引起本征吸收
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ITEM LIST (F-GX1000)Characteristic Of Fiber Optics And Semiconductor LaserNoItem NameSpecificationsQuantityRemark1Optical bench800mm12Fiber experiment instrumentGX-100013Semicondu
导带价带 D→V过程 这一过程中松弛的束缚在中性杂质上的电子和一个价带中的空穴复合相应跃迁能量是Eg—ED例如对GaAs来说低温下的Eg为许多杂质的ED为所以D→V跃迁应发生在处因此发光光谱中在处出现的谱线应归属于这种跃迁具有较大的理化能的施主杂质所发生的D→V跃迁应当低于能隙很多这就是深施主杂质跃迁DD→V过程 然而在无机离子晶体中引入杂质离子后杂质缺陷能级和价带能
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级??1.4 半导体材料导电性 1. 半导体材料概况(2) 依据电子参与成键情况本征半导体 所有外层电子都成键所有结合键上电子都满额掺杂半导体 - N型: Si(AsP) - P型: Si(BAlGa)(1) 依据化学组元个数分为元素半导体-SiGe化合物半导体-III-V族 GaAs InSb InP 等II-VI族
多数载流子:n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴少数载流子:p型半导体中的电子和n型半导体中的空穴空间电荷区:电离施主和电离受主所带电荷存在的区域。表面空间电荷层:表面与内层产生电子授受关系,在表面附近形成表面空间电荷层。电子耗尽层:空间电荷层中多数载流子浓度比内部少。电子积累层:空间电荷层少数载流子浓度比内部少。反型层:空间电荷层中少数载流子成为多数载流子。光生伏特效应:1)用能量等于或大于禁
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